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从理论上分析了a-Si:H薄膜晶体管有源层-a-Si:H薄膜的光电特性,厚度及淀积均匀性,稳定性,重复性对TFT工作性能的影响,并根据此分析,在实验的基础上对a-Si;H淀积工艺进行了优化,找到了最佳淀积工艺,并介绍了淀积室电极结构。用此工艺,作者在美制备出高质量的640×480象素的a-Si;H薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器,其对比度为100:1,灰度24级,开口率大于50%,开关比大于1×10