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对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明：模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s（Si）剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
【摘 要】
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对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明：模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院研究生院
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2010年10期
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