锑化铟光伏型红外探测器的制备及有关问题的讨论

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采用常用的扩散成结工艺,可制备出接近背景噪音限的锑化铟光伏型红外探测器。本文简略地介绍了器件的制备工艺及其特性,并针对制备工艺中有关衬底材料的选择、对扩散的要求、结深的控制及表面处理等问题进行了讨论。 Using common diffusion into the junction process, can be prepared near the background noise limit indium antimonide photovoltaic infrared detector. This article briefly introduces the preparation process of the device and its characteristics, and discusses the selection of the substrate material, the requirements of diffusion, the control of the junction depth and the surface treatment in the preparation process.
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