低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应

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重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因,但是高注入也将引起禁带变窄效应,这一影响在低温下尤其明显.本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型,获得的计算值与实验结果相一致. The heavy doping effect is the main reason for the forbidden band narrowing in the base region, but the high injection will also cause the forbidden band narrowing effect, especially at low temperature.In this paper, a silicon base bipolar transistor Forbidden band narrowing effect calculation theory model, the calculated value is consistent with the experimental results.
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