【摘 要】
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文中采用0.5μm CMOS工艺设计并实现了LVDS驱动电路,整个电路由单端输入-差分输出转换电路、偏置电路、驱动输出电路和共模反馈电路组成。该电路芯片面积仅为0.47mm×0.35mm,
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所 南京210096,南京210096,南京210096,南京210
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文中采用0.5μm CMOS工艺设计并实现了LVDS驱动电路,整个电路由单端输入-差分输出转换电路、偏置电路、驱动输出电路和共模反馈电路组成。该电路芯片面积仅为0.47mm×0.35mm,测试结果表明,采用5V电源供电时直流功耗为30mW,输出电压摆幅及输出共模电平都满足TIA/EIA-644-A标准,电路最高工作速率高于622Mb·s~(-1),可以应用于LVDS传输系统。
The design and implementation of LVDS driver circuit using 0.5μm CMOS technology, the entire circuit from the single-ended input - differential output converter circuit, bias circuit, driver output circuit and the common-mode feedback circuit. The circuit chip area of only 0.47mm × 0.35mm, the test results show that the use of 5V power supply DC power consumption of 30mW, the output voltage swing and the output common-mode level to meet the TIA / EIA-644-A standard, the highest circuit Working speed higher than 622Mb · s ~ (-1), can be applied to LVDS transmission system.
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