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利用溶胶凝胶法在n-Si（100）衬底上成功制备了钒酸铋（Bi2VO5．5）铁电薄膜．利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析，结果表明，Bi2VO5．5，薄膜与n—Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向，晶粒大小均匀．对薄膜电学性质的研究表明，Bi2VO5．5薄膜具有良好的C—V特性，在±4V偏压下，存储窗大干0．4V．当外加偏压为3．2V时，漏电流密度为5×10^-8Acm^-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0．22．这些结果说明，Bi2VO5