高阻值Cdl—xZnxTe晶体的生长及其性能测试

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：h_f_m

【摘要】

：

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电

【作者】

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李国强谷智介万奇

【机构】

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西北工业大学凝固技术国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

：

Cdl-xZnxTe 布里奇曼法电阻率红外透过率结晶质量 Cd 1-xZnx Te Bridgman method resistance transmit

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9982 0 0 6)~~

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通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．

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