文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10rad(Si)时,其直流电......

通过分子束外延生长ＳｉＧｅ层制成了适于集成的平面结构ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）。在３００°Ｋ下，ＨＢＴ的直流电流增益β为３０－５０，基极开路下的收集极－发射极反向击穿电......

该文研究了Al、Gan、In、P/GaAs异质结双极型晶体管（HBT）器件从室温到673K的输出特性，发现器件的直流电流增益从室温到623K下降不到l0......

基于器件结构特点和电学特性,研究了影响SiGe HBT（异质结双极晶体管）直流电流增益的主要因素,分析了不同的电流密度条件下,器件的物......

在对InGaP／GaAs HBT特性的研究中发现，发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([011]方向)放置时，其直流电流增益和截止频率是不......