采用双重LOCOS结构的亚微米NMOS技术

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前言内含高速分频电路的频率合成器用的PLL IC,对以高速为目标的IC技术人员来说是最好的研制对象。在这个领域中,它并不象最近报纸上大肆宣传的RAM那样引人注目,但在使用工艺技术以及电路技术要求严格程度方面都在高速SRAM以上。另外,若从历史上看,PLL IC和高速SRAM同样,当初也是双极技术独占工艺舞台。 Preface PLL ICs for frequency synthesizers that include high-speed crossovers are the best targets for IC technicians who target high-speed circuits. In this area, it is not as compelling as the RAM hyped in recent newspapers, but it is above high-speed SRAM for both process technology and circuit-level sophistication. In addition, if from a historical point of view, PLL IC and high-speed SRAM the same, was originally a bipolar technology exclusive process stage.
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