【摘 要】
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本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件的工作就像常开型 FET 一样,77K 时闽值电压
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本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件的工作就像常开型 FET 一样,77K 时闽值电压为+0.035y、跨导为170mS/mm。阈值电压分散很小,所以这种器件对高速大规模集成电路应用很有吸引力。
This paper reports a heterojunction MISFET in which n + -GaAs layers are used as the gate, undoped GaAlAs layers are used as the insulating layers, and undoped GaAs is used as the semiconductor. This device works like a normally-on FET, with a threshold voltage of + 0.035y at 77K and a cross-conduction of 170mS / mm. The threshold voltage dispersion is small, so this device is attractive for high speed large scale integrated circuit applications.
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