栅源相关论文
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏......
本文借鉴低频电路中用电流传送器综合低频有源电感的思路提出一种设计微波有源电感的新方法.根据这种方法.获得了八种微波有源电感......
提出用FET实现四种高性能的微波有源电感基本电路结构，通过分析各个电路的特性表明，这四个有源电感均是低损耗或无损耗的。另外还选......
针对功率ＭＯＳＦＥＴ的特点．介绍由多个三极管组成的组合式驱动电路．在逆变焊接电源上做了实验．验证了该方法的合理性．
For power MOSFET feature......
提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术 .讨论了寄生栅源电......
提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度......
5 功率模块的参数 5.1 功率MOSFET模块 5.1.1 最大定额 1)漏源电压Vns MOSFET芯片中,漏源极间的最大允许电压。此时,栅源回路为开......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的20V p通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB,该器件......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET∶SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-7......
日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新款双芯片20 V P沟道第三代TrenchFET~(?)功率MOSFET——SiA923EDJ。新器件采用2 mm×2 mm......
日立制作所日前宣布,开发出了有关中高耐压(35～300 V左右)晶体管的两项技术,其中一项是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个......
本文介绍了一种稳压值可调的有源箝位电路结构,电路结构简单,可精确调节箝位点电压的稳定值,版图面积小,可广泛应用于模拟或数模混......
通过掩膜板制备源漏电极的方法，以非晶铟-镓-锌氧化物（a—IGzO）为有源层，制备了结构为ITO／siO2（400nm）／a-IGZO（50nm）／Al的底栅顶接触型（BGTC）光......
热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载......
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了......
利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法......
叙述了一种最高振荡频率较高的大功率、高击穿电压静电感应晶体管(SIT)的设计和制作,并给出了试验特性。应用场控电极使击穿电压提......
本文叙述了一种新的器件——硅静电感应场效应管(Static-Induction Transistor)的栅金属化的问题。通过对钼金属膜几项性质的研究,......
本文从栅源串联电阻R_s和有效栅长L_f两方面论述了深槽自对准斜蒸栅结构可明显减小R_s与缩短L_f,有利于降低器件的噪声系数。 本文......
对WC55中功率微波砷化镓场效应晶体管进行的高温固定偏置加速寿命试验研究表明:该器件在70℃环境温度下的MTTF达7.3×10~5小时以上......
1.砷化镓数字集成电路由晶体管原理可知,逻辑电路的本征开关速度与晶体管的电流增益带宽乘积f_T有关,即t∝1/f_T (1)对于场效应晶......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
本文论述4GHz低噪声GaAs MESFET在缩短栅长L,减小寄生电阻(R_s+R_g)的同时需减小等效噪声电阻R_n,以获得较理想的增益和噪声性能.......
本文提供一种采用两次复位的方法,实现了CCD输出级完全复位,消除了不完全复位噪声;并讨论了CCD复位噪声机理和彻底消除复位噪声的......
本文从器件、电路、筛选等角度研究了GaAs FET低噪声放大器耐RF输入功率问题;给出了有关实验数据;分析了场放的烧毁机理。实验结果......
一、引言 四象限模拟乘法器是非线性系统中的一个重要单元,可用于信号的调制、检测、控制、平方及求平方根,在模拟信号处理中具有......
本文描述了一种CMOS/SOS集成电路输入保护电路的设计方法。根据保护电路原理,计算了不同保护电路的保护能力,并用实验加以证实。
......
本文从MOS管电容模型出发详细分析了MOS源漏自举电路的自举物理过程,认为其中负载管栅电容主要起耦合作用.所得自举率公式、输出达......
一般的功率MOSFET的偏置电压是10V系列的,把栅·源间的偏置电压加到10V以上时,漏·源间呈饱和状态。在应用方面,用功率MOSFET驱动......
文章介绍一种以器件互补为基础的参考源电路。由于电路采用闭环控制技术，温度系数随意取向技术。使得电路设计时，可以较少地关注整机......
1 用于通讯设备的MOSFETZETEX的ZVP4424G是240V的MOSFET,它具有低在线电阻和低门限电压,用于通讯设备,可以提供SOT-223封装.当栅......
在新材料ＳＩＭＯＸ上制作ＣＭＯＳ器件，并采用静态Ｉ－Ｖ技术，研究了ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ在（６０）Ｃｏ－γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结......
利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟......
话筒管是一种特殊专用器件。在话筒使用过程中，纯属于小信号应用范畴。因此，严格要求话筒管工作电流必须稳定。本文重点讨论如何控制......
场效应管在模拟多路复用中广泛地作开关应用.本文叙述这种应用的一些缺点和克服这些缺点的几种栅极激励电路.
Field Effect Trans......
结型场效应管虽然栅源电阻高达100兆欧以上,但有时还嫌不够高,而且在高温工作时,阻值会有显著下降。另外从制造工艺方面来看,高度......
本文讨论了介质盖栅SIT的基本特性。在SIT小信号S参数和静态特性的基础上,得到了SIT非线性等效电路模型。采用Volterra级数法,分析......
综述了开关电流神经网络实现问题，讨论了神经网络的两种模拟实现方法——开关电容和开关电流技术的特点，给出了神经网络的开关电流技......
对连续时间电流模式电流镜积分器电路的非理想特性进行理论分析，提出了典型积分器电路的高频特性、噪声特性、失真特性等相关的公式......
设计和制造了一个GaAs单片集成激光器驱动电路。描述了电路的设计考虑,制作过程和器件与激光器驱动电路的静态特性。该电路具有大......
分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模犁,理论描述了对器件输出特性的稳......
