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本文详细分析了下述问题（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数，集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结构耗尽层中，除了固定电荷因素引起的电容外，发射结正常工作向偏压时，由于自由载流子流入引起的ＥＢ结电容。
SiGeHBTs高频特性模拟分析
【摘 要】
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本文详细分析了下述问题（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数，集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结构耗尽层中，除了固定
【机 构】
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北京工业大学电子工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年6期
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