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基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺，设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。该功放工作在AB类偏置状态，由三级放大电路级联构成，并带有温度补偿和线性化的偏置电路。芯片版图面积为 ，电源电压为3.4V。仿真结果显示：功率增益大于30.1dB，1dB压缩点输出功率为31.2dBm，在Band 38（2570~2620MHz）内，输入回波损耗S11小于-15dB, S21大于30.1 dB，输出回波损耗S22低于-25dB，1 dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6%。