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介绍了一种制作栅介质的新工艺——原位水汽生成工艺．基于Deal-Grove模型提出了原位水汽生成过程中活性氧原子和硅一硅键反应形成硅氧硅键的氧化模型，并通过MOS电容结构对原位水汽生成和炉管湿法氧化所形成的栅氧化膜的电击穿特性进行了研究和分析．测试结果表明原位水汽生成的栅氧化膜相对于炉管湿法氧化有着更为突出的电学性能，这可以认为是由于弱硅一硅键的充分氧化所导致的．表明原位水汽生成在深亚微米集成电路器件制造中具有广阔应用前景．