日本Toyohashi科技大学研究人员发明整合硅与Ⅲ-Ⅴ族材料新方法

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丰桥科技大学(Toyohashi University of Technolog)最近演示了如何将GaN发射器和其他光学材料集成到硅衬底中。研究人员称已经解决了硅和Ⅲ-Ⅴ族材料晶格失配的问题,从而使未来硅芯片上引入光学部件成为可能。硅光子学已经验证了大部分的光学功能,包括波导、谐振和开关,但是对于 Toyohashi University of Technolog recently demonstrated how to integrate GaN emitters and other optical materials into silicon substrates. The researchers said it has solved the lattice mismatch problem between silicon and III-V materials, making it possible to introduce optical components onto future silicon chips. Silicon photonics has validated most of the optical functions, including waveguides, resonances and switches, but for
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