【摘 要】
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本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁
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本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力的电迁徙实验对比，结果显示出新结构在抗电迁徙性能上的明显优越性，ＳＥＭ分析对此也提供了有力的证据．
In this paper, the effect of reflow in Al metallization system is studied, and a new three-layer metallization system is proposed to resist electromigration. At the same time, experimental results of the electromigration experiment of various dynamic stresses on the metallization system of both old and new structures are presented. It shows the obvious superiority of the new structure in anti-electromigration performance, and SEM analysis provides strong evidence for this.
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