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[期刊论文] 作者：范缇文,
来源：电子显微学报 年份：1996
砷离子注入的ＧｅＳｉ合金中沉淀相的研究范缇文（中国科学院半导体材料科学实验室，北京１０００８３）杂质在ＧｅＳｉ合金中的扩散和沉淀过程仍是目前尚待进一步研究的课题。比如，作为ＧｅＳｉ合金的主要掺杂剂的元素砷......
[期刊论文] 作者：范缇文,
来源：半导体学报 年份：1988
用横断面透射电子显微镜(XTEM)技术对分子束外延GaAs-Al_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了观察,实验结果表明光荧光发射谱的宽化可能和阱宽的不均匀性有关.The structure of...
[期刊论文] 作者：范缇文,,
来源：电子显微学报 年份：1986
(一)砷化镓单晶中微沉淀物的EDS检测在早期的工作中曾对Ga As:Te和Ga As:Si中微缺陷的结构性质及其与杂质浓度的关系作了TEM研究,结果表明在保持单晶砷化镓结构完整性上,Si...
[期刊论文] 作者：范缇文,徐统,
来源：半导体学报 年份：1990
对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,...
[期刊论文] 作者：梁基本,范缇文,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外...
[期刊论文] 作者：Hem.,PLF,范缇文,
来源：半导体学报 年份：1993
本文用卢瑟福背散射（ＲＢＳ），横断面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为４００ｋｅＶ，剂量范围为１×１０＾１＾３至１×１０＾１＾５／ｃｍ＾２，离子束流流强度为......
[期刊论文] 作者：范缇文,吴巨,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
介绍了会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术与计算机模拟相结合测定ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率，高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技......
[期刊论文] 作者：范缇文,梁基本,
来源：半导体学报 年份：1991
用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅...
[期刊论文] 作者：朱东海,范缇文,
来源：发光学报 年份：1997
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构，透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子蹼的光荧光谱线发生红移。这表明由于量子......
[期刊论文] 作者：范缇文,梁基本,
来源：半导体学报 年份：1991
用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长行为和微观结构进行了观察.研究结果表明硅...
[会议论文] 作者：梁基本,范缇文,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[会议论文] 作者：范缇文,张金福,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：范缇文,林兰英,,
来源：电子显微学报 年份：1996
本文介绍了将透射电子显微学应用于半导体材料科学研究中的几个典型课题中所取得的研究结果,展示出从体单晶到超薄、多层异质结材料,从平面型异质结到非平面异质结材料的广泛...
[期刊论文] 作者：范缇文,丁孙安,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单昌欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料，其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度着典型的Ｕ型依赖关系。透射电子显微镜及俄歇电子能谱的分析结果指出ρｃ值的大......
[期刊论文] 作者：张砚华,范缇文,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
利用光致瞬态电流谱（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ＣｕｒｒｅｎｔＳｐｅｃｔｒｕｍＯＴＣＳ）研究了热退火对低温分子束外延ＧａＡｓ材料深中心的影响，实验结果表明原生和退火的ＬＴ－ＧａＡｓ中都存在三个主要的深中心ＬＴ１、ＬＴ２、ＬＴ２，退火后各峰的相对强度变化很大，特另ＩＬＴ１／ＩＬＴ３＝Ｃ由退火前的......
[期刊论文] 作者：范缇文,林兰英,
来源：电子显微学报 年份：1997
利用光致发光，横截面透射电子显微镜对金属有机物气相处延生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料中的有序结构进行了研究。实验结果指出（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料......
[期刊论文] 作者：范缇文,袁俊,L.M.Brown,
来源：半导体学报 年份：1988
用透射电子显微镜(TEM)、扫描透射电子显微镜(STEM)和电子能量损失谱(EELS)对高剂量氮离子注入再经热退火所形成的硅-绝缘层(SOI)结构的纵断面进行了微区分析并测定了氮-硅元...
[期刊论文] 作者：范缇文,张敬平,P.L.F.Hemment,
来源：半导体学报 年份：1993
本文用卢瑟福背散射(RBS),横断面透射电子显微镜(XTEM)及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为400keV,剂量范围为1×100~(13)...
[期刊论文] 作者：范缇文,吴巨,王占国,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常...
[期刊论文] 作者：梁基本,范缇文,孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文介绍在刻楷Si衬底上用分子束外延嵌入生长GaAs的异质共平面技术。用横截面透射电子显微镜对槽壁非平面异质结的生长行为和微结构进行了研究,结果表明:槽壁的几何因素对外...
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