采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电......

本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载......

研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds...

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

研究了沟长从0．525μm到1．025μm 9nm厚的P－MOSFETs在关态应力（Vgs=0,Vds<0)下的热载流子效应。讨论了开态和关态应力。结果发现由于在......

氮化镓材料因其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度大等优势,在功率半导体领域受到了广泛关注,被视为功率电子器件长足......