栅氧化层相关论文
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......
作为新一代宽禁带半导体材料，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)已经展现出优良的电学、热学特性，基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高......
公开号 ＣＮ１１８８８１７Ａ 申请人 ＭＥＭＣ电子材料有限公司 地址 美国密苏里州 一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅厚度的......
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用......
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
碳化硅是一种典型的第三代半导体材料,适合用于制备高温、高压、大功率和抗辐射的电力电子器件,其金属氧化物半导体(metal-oxide-s......
随着器件尺寸的缩小,非易失性存储器和其他半导体器件一样,面临着可靠性的问题。由于EEPROM器件经常工作在高电场应力之下,与之密......
通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级......
赛灵思的Virtex-5FPGA系列基于65nm的三极栅氧化层技术、ExpressFabric技术和经过验证的ASMBL架构。与前一代90nm的FPGA相比，它在性......
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一组线性代数方程，得到了二维电势解析表......
简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范......
随着栅氧化层的减薄,应力感应的薄栅氧化层漏电特性目前已经成为MOS器件的主要可靠性因素。本文对SILC效应的导电机制和组成成分作......
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展，等离子体充电对制造工艺造成的影响，尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著．本文分析了等离子......
MOS器件尺寸缩减,导致栅氧化层厚度急剧减小,引起栅隧穿电流的迅速增大,对MOS器件特性产生了很大影响。该文基于此,重点分析和研究......
为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关......
理论分析了MOSFET关态泄漏电流产生的物理机制,深入研究了栅氧化层厚度为1.4nm MOSFET传统关态下边缘直接隧穿栅泄漏现象.结果表明......
对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴（SHH）应力下SILC（应力感应泄漏电流）特性和机理进行研究。研究结果表明：在SHH应力下,栅电流在开始阶段减......
对于纳米级的CMOS电路，由于MOS器件具有超薄的氧化层，栅隧穿漏电流的存在严重地影响了电路的正常工作。本文基于可靠性理论和电路级......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
PAE效应是芯片在加工过程中,静电对栅氧化层的破坏性击穿效应.本文分析了PAE的成因,提出了几种估量PAE效应的算法,并提出了解决PAE......
分析了PAE效应(process antenna effect)的成因，并在此基础上提出了几种在深亚微米ASIC设计中消除PAE效应的方法．其方法应用于“龙芯......
利用X射线光电子能谱技术，建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度（小于10nm）准确测量方法。中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM—K32......
在集成电路的制造过程中,硅片的清洗对器件的良率、寿命及可靠性具有决定性作用。据统计,在集成电路的生产过程中,超过50%的产品报......
综述了ONO（氧化物一氮化物一氧化物）反熔丝、非晶硅（a-Si）反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点，介绍了反熔丝器件包......
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,......
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的......
传统辐照总剂量试验的辐射源均采用60Co,对环境危害较大.X射线作为辐射源具有安全、剂量率控制准确等优点,可进行硅片级的测试甚至......
通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转烃区的宽度，给出......
介绍了薄栅氧化层TDDB可靠性评价的高温恒定电场试验方法,并完成了E模型的参数提取,同时以MOS电容栅电流Ig为失效判据,对某工艺的M......
讨论了栅氧化层击穿的统计模型，并对业界广泛应用的1／E模型、E模型以及幂指数模型中栅氧化层击穿的物理机理进行了仔细研究，指出了各......
随着晶体管尺寸按比例缩小,越来越薄的氧化层厚度导致栅上的隧穿电流显著地增大,严重地影响器件和电路的静态特性,为此,基于可靠性......
台湾大学电气工程系报道了他们制作的a-Si∶H TFT,其场效应迁移率高达3～5cm~2/V·s;在阈值附近,电压仅变化0.28～0.5V,电流即变化一......
在实际的电子元器件可靠性评估中，通常会遇到小样本的限制，无法满足传统的基于大样本的评估方法的假设．有鉴于此，文中提出了基于支持向......
栅氧化层的经时击穿作为影响互补型金属-氧化物-半导体集成电路可靠性的一个重要因素,一直是国内外学者研究的重点.为了对其进一步......
超大规模集成电路(VLSI)的可靠性与集成度的增加是相互联系着的。集成度的提高,芯片增大、器件尺寸按比例缩小,采用革新电路和多层......
集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法，并针对主......
本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究......
针对功率器件的抗辐射加固技术,从入射粒子对半导体材料的辐射损伤机理出发,设计了一种-150 V抗辐射P沟道VDMOS器件。该器件采取的......
介绍了一种400 V/3.1 A抗总剂量效应的VDMOS产品的设计,包括纵向和横向结构设计,总剂量效应及加固技术。主要对栅氧化层进行加固,......
