动态随机存取存储器相关论文
随着物联网应用、移动边缘计算、大数据应用的快速发展，数据爆发式增长成为万物互联时代下的主旋律。传统块设备文件系统逐渐无法应......
随着5G高速移动网络相关技术的逐步成熟，万物互联的时代即将到来。移动终端的大规模普及带来了数据规模的跨越式增长，以大数据算法为......
以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻......
相变存储器(PCM)是一种非易失性存贮设备，利用材料的可逆相变来储存信息。作为新一代存储技术，它性能优异，有望部分取代闪存及动......
由于现有的数据转移方式存在残留数据的问题,容易造成敏感信息泄露.设计一种以DRAM(动态随机存取存储器)为存储介质,通过电池供电,......
同步动态随机存取存储器(SDRAM)以其价格低、体积小、速度快、容量大的优点,广泛应用在服务器、工作站和PC机上.本文将研究DDR SDR......
本文对迎接奥运点播新挑战问题进行了论述.文章概括介绍了点播网络,内容管理以及可以同时对数百个电视直播节目进行点播所需的点播......
在过去的几十年，计算机系统一直使用DRAM作为内存。但是DRAM内存正面临着性能、容量和能耗方面的挑战。一方面，随着处理器系统结构技......
Hyni Semiconductor宣称开发出全球最小最快的512MB动态随机存取存储器DRAM，该芯片可广泛应用在手机、笔记本等移动电子产品上。该......
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM......
据美国数据调查公司近日公布的一项预测结果显示，今年全世界计算机用动态随机存取存储器(DRAM)的销售额将达到140亿美元，比去年下降5......
BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料.用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上......
An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies An Overview of Non-Vola
Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems.This trend is pushed by the development of data c......
日本理化研究所成功研制出线宽仅为3纳米（1纳米=10亿分之一米）的超精细导线。该导线精细仅相当于一个分子不到，是目前批量生产的256兆......
【正】 内存是电脑系统中一个很重要的部件,内存性能的优劣和执行速度的快慢将在很大程度上决定电脑整个系统的性能。在二手电脑配......
【正】 美国当局认为,在反倾销令发布后,国外生产商或出口商会采取某种形式来规避反倾销令。其中,将产品的组装工序转移到一个不受......
紫外线激光内存修正设备9835能够用于200毫米和300毫米硅片。设备用于提升90纳米工艺以及更先进生产技术制造的动态随机存取存储器......
2015年8月13日,是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出配合逻辑分析仪执行DDR4×16DRAM（动态随机存取存储器）设计测试的全新BGA（球形栅格......
昂贵内存的末日屈指可数。一系列开发中的新型芯片设计为我们带来了福音。得益于更好的内存设计和制造技术,二十年来动态随机存取......
ST公司推出用于最新一代手机的基于NOR闪存的存储器子系统。这种单封装多片式子系统组合了ST新的单片256Mb和512Mb NOR闪存器件以......
南韩海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）日前宣布，已使用最细微技术研发出全球密度最高存储器芯片。海力士这种崭新的“DDR3DRAM......
...
美国肯沃公司（Converge）日前表示，目前尚无迹象显示，在DRAM（动态随机存取存储器）的价格今年9月创下新低后市场会出现反弹。肯沃公司是全......
三星电子推出采用30纳米级企业服务器1．25V16GBDDR3RDIMM（RegisteredDualInlineMemoryModule）产品。...
据韩联社报道，三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器（DRAM）半导体。......
本报综合报道 7月2日，日本半导体公司尔必达宣布，已与美国半导体巨头美光科技公司签署协议，后者将出资2000亿日元（约合25亿美元）收购尔......
昨日，两大半导体制造商——意法半导体和韩国现代半导体，在华投资20亿美元（人民币约158亿元）的合资工厂正式投入运营。该工厂位于江苏......
巨型计算机取得惊人的突破。1991年5月,英特尔巨型计算机公司推出了“试金石三角”巨型机,运算速度为每秒86亿次浮点运算,峰值为每......
三维多处理器内存堆叠系统能够显著提升系统性能,但伴随而来的热密度以及散热成为影响电路可靠性的关键问题.为了研究并检测三维集......
多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和......
介绍了动态随机存取存储器(DRAM)的最新制造技术、0.1μm特征尺寸理论极限的突破和相关新技术的进展,并展望了3种非易失性随机存取......
传统磁盘存储设备因其固有的机械特性,已不能满足当前的数据密集型应用程序的需求。基于闪存的固态存储设备(solid state drive,SS......
