电离率相关论文
关于强激光场中原子、分子电离的Keldysh-Faisal-Reiss（KFR）理论,也称为强场近似理论（SFA）,被广泛应用于理解激光与原子、分子相互作用......
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
由于激光技术的不断发展，原子与分子在强激光场中的电离现象在理论和实验上引起了广泛的关注。原子与分子强场电离过程是强激光场与......
氮气射频放电等离子体广泛应用于氮化物合成及表面氮化技术，氮射频等离子体气相沉积是一项很有潜力的技术。为了提高应用效率和质量......
了研究低温下电子倍增CCD（EMCCD）的电荷倍增特性，根据电子碰撞电离原理，建立了电离率模型；并依据雪崩倍增积分关系，针对所分析的EMCCD器......
采用数值方法研究静电场和不同的激光脉冲对氢原子的电离率和高次谐波的影响.结果表明脉冲形状和电离率之间有着确定的关系,电离率......
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准......
利用第23太阳活动周DMSPF12,F13和F15卫星数据,分别对南北半球极区顶部电离层离子上行的太阳活动依赖性进行了研究.结果表明,南北......
采用二阶劈裂算子算法,通过数值求解强激光场中基态氢原子的含时薛定谔方程,计算了不同的激光脉宽下氢原子的电离率和高次谐波.讨......
EMCCD采用碰撞电离机制实现了电子信号在固态器件内的倍增放大,其成像系统在液氮深度制冷条件下可以达到理想成像效果。为了研究低......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过MO-ADK理论,计算了强激光场中准直O2分子不同振动激发态（改变分子间距离）下的隧穿电离率.结果表明,当取向角约为35°时,各个......
本文描述了一种计算GaAs MES FET反向击穿电压的简单数值方法。击穿电压由电离率积分确定,同时只需要很短的计算时间,就能研究多种......
原子法激光同位素分离的核心之一是如何高效地将原子激发电离.本文从原子法激光同位素分离的实际情况出发,研究了原子吸收谱线的Do......
激光在厚原子蒸气介质中传播时会产生脉冲形变和延迟现象,这会直接影响原子多步光电离过程中的电离率和选择性.从原子蒸气激光同位......
光导开关是一种新型的全固态开关器件,光导半导体被激光脉冲激励从而实现阻抗转换,它具有抖动小、响应速度快、重复频率高、光电隔......
激光出现于上个世纪六十年代，它的问世是人类的重大的发明。由于激光的出现，产生了许多与之相关的学科。强场物理便是在这样的背景下......
