忆感器相关论文
忆感器和忆容器是继忆阻器之后的新型非线性器件,其基本特征是具有记忆特性,无需外部激励就可存储信息。在许多领域,包括非易失性......
忆感器是一种具有非线性特性的记忆元件,是记忆元器件家族中的重要一员。忆感器的研究主要集中在时域特性的分析上,而频域特性的研......
忆感器是一种具有记忆功能的非线性电感器。根据忆感器的数学模型,建立了Simulink仿真模型,并由该模型的仿真结果得到关于忆感器的......
忆感器是一种有记忆能力的非线性电感器,其电感值的变化依赖于流过它的电荷数或磁通量。对于这种新的纳米级的电子元件,从电路学的......
忆感器是从忆阻器概念推演出来的一个新的具有记忆功能的非线性电路元件。基于忆感近似等效电路模型,采用一个有源磁控忆阻器实现......
记忆器件的出现为电路设计提供了新的方法，由于目前尚无法获得实际的记忆器件，所以研究人员通常通过搭建电路模拟器的方法对其进行研......
纳米级别的忆阻器、忆容器和忆感器作为新型的电路元件,具有不同于其它电路元件的独特性能,在非易失性存储、神经网络、数字逻辑电......
忆阻器于1971年由蔡少棠教授首次提出,用于表征电荷与磁通之间的某种关系。随着现代纳米科学技术取得了一系列突破性成果,2008年,......
该文阐述了纳米记忆元件的内涵和工作机理,探讨了记忆元件的国内外研发进展,深入分析了记忆元件对电子科技的重大突破。为我国紧密......
本文首先利用光敏电阻阻值的可控性,建立了磁通控制型忆阻器的等效电路模型.通过对忆感器和忆阻器间转换关系的分析,采用模拟电子......
该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗（VCF......
1971年蔡少堂教授根据电路关系完整性提出了第四种基本元器件即忆阻器(Memristor)的存在与定义。随后,2008年惠普实验室在研究纳米......
以往有关忆阻器模型及其应用研究主要集中于忆阻器基本概念构建并分析忆阻器模型及其等效电路模型,而基于市场上商用忆阻器件的研......
在磁控忆感器数学模型的基础上,提出了一个新型四维连续混沌系统,通过分析系统的李雅普诺夫指数、分岔图和Poincaré截面等基......
忆容器和忆感器是在忆阻器基础上定义的两种新型非线性记忆元件,目前未实现实际的忆容器和忆感器.为探究忆容器和忆感器在非线性电......
为了探索新型忆感器的特性,提出了一种新的忆感器模型,该模型考虑了内部变量的影响,更符合未来实际忆感器的性能.建立了其等效电路......
忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出......
