非晶铟镓锌氧相关论文
采用磁控溅射方法,在聚酰亚胺薄膜上室温制备了非晶铟镓锌氧(a-IGZO)柔性薄膜晶体管(TFT).其中,栅绝缘层选择了不同厚度比例的氧化......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZO TFT）因为具有良好的电学特性而被认为可取代传统硅基TFT而成为驱动下一代平板显示的电子器件。然而,......
随着人们对平板显示（FPD）的尺寸和分辨率的要求越来越高,在更大尺寸和更高分辨率的显示领域,显示驱动用的薄膜晶体管（TFT）的电极线电阻......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因具备较高的载流子迁移率、可低温制备、可实现透明和柔性显示等优点而被认为是下一代平板显......
当前,以非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)为代表的非晶氧化物半导体TFT受到了国内外研究者的广泛关注。a-IGZO TFT与传统硅基TF......
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)不仅拥有非晶硅TFT的均匀性和多晶硅TFT的高迁移率等优点,而且还具备高透光率和低制备温度。......
针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管（a-IGZOTFT）的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度......
随着平板显示（FPD）技术的不断发展,人们对于显示效果提出了越来越高的要求（尺寸更大、分辨率更高、响应速度更快等）。非晶铟镓锌氧薄膜......
非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)大面积制作时均匀性较好,且可以低温制造,被广泛应用于有源......
新型非晶氧化物半导体(AOS)材料非晶铟镓锌氧(a-IGZO)具有高迁移率、高透明度、低制备温度、低成本等优越性能,在下一代平板显示、......
非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)凭借其良好的电学性能(如高迁移率、大面积均匀性、可见光透明等)极具潜力成为下一代有源液......
