非结晶的公司 x C1 ? x 小粒的电影在 n-Si (100 ) 上被准备由 dc 磁控管劈啪作响的底层。磁性和磁致电阻(先生) 上的公司集中，电影......

利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅(100)表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25μm的微结构。利用荧光......

用开路电位-时间谱技术,表征了在硅(100)表面化学镀银的硅电极/溶液界面吸附态.所得结果与原子力显微镜在纳米尺寸上的面结构信息......

做钨的银电影被沉浸终止氢的硅晶片进 2.5 mmol/L 的答案准备[Ag2WO4 ] 在 50 琠潷椠瑮牥慮? 牦捩楴湯瀠慥獫漠 ? 桴 ? 灳 ' ......

介绍了用慢正电子束探针研究Ａｓ＾＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷消除效应的结果，用正电子Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一......

提出一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)微流控芯片的方法.用15%四甲基氢氧化铵溶液各向异性腐蚀硅(100)制作模具,然后经过浇模,中真空......

本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的热能面。确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的撮佳吸附位为洞位。在桥位Ｉ、桥位Ⅱ和顶位......