离子束合成相关论文
将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚1......
该论文工作主要包括以下三个方面:1)研究了硅上H的注入解吸以空洞的形成机 理以及B和H(He)双注入对掺杂的影响.2)研究了B注入掺杂......
将C+离子注入硅衬底,衬底温度约为400℃,C+离子引出电压为45keV注入剂量为5×1017cm-2.经高温退火形成碳化硅沉淀,利用X射线光电子......
采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征......
将能量为４５ｋｅＶ的Ｃｅ离子注入到Ｓｉ单晶中，研究硅化铈摹离子束合成及其室温光致发光特性，透射电观察表明在单 晶硅的表面形成厚１００ｎｍ的Ｃｅ离子注入层，选区......
综述了离子束科学技术领域新的重要进展－－从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术，讨论了......
采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进......
本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散......
本文了离子束科学技术新领域新的重大进展－从作为半导体掺杂手段剂量离子注入到高剂量离子注入以合成新材料。文中讨论了高剂量注入......
采用离子增强沉积等方法在热解碳，钛及钴合金等人工心脏瓣膜材料表面制备Ｔｉ－Ｏ，Ｔｉ－Ｎ及其复合薄膜。对薄膜的成分，结构进行了研究，测定了材料的电......
介绍了用离子束合成法研制新型材料β－Ｃ３Ｎ４的条件及过程，用ＲＢＳ、ＸＲＤ等手段分析研究该方法生成物的配比、结构和物相，观察到ＣＮ化合物多晶。......
Ion beam method is based on the introduction of energetic ions into the surface layer of a solid substrate to modify the......
将Ｃ＾＋离子注入硅衬底，衬底温度约为４００℃，Ｃ＾＋离子引出电压为４５ＫｅＶ注入剂量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２。经高温退火形成硅沉淀，利用Ｘ射线光电子能谱，俄歇电子能谱及傅立叶变换红......
采用溶胶-凝胶法和离子束增强沉积法在医用NiTi合金表面制备TiO2薄膜以提高其生物相容性.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)......
<正> 新材料是社会发展的前沿支柱产业之一。人们生活水平的提高和社会的进步无不与新材料的发现息息相关。然而,在浩瀚无尽的物质......
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入......
在衬底温度400℃条件下对n型(100)单晶硅进行剂量分别为5×1017cm-1和1×1018cm-1的C+注入,经过在1050℃氮气氛下进行60mi......
