纳米氧化层相关论文
通过XPS等微观分析手段证实了磁性隧道结在高温退火后,反铁磁层中的Mn元素扩散到被钉扎铁磁层及势垒层中,破坏了势垒层/铁磁层界面......
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(3.5nm)/Ni80Fe20(2nm)/Ir17Mn83(6nm)/Co90Fe10(1.5nm......
研究发现在磁隧道结的反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层,可以使磁隧道结的退火温度增加了40℃,即明显地提高了磁隧道......
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了带有两种纳米氧化层(NOL)Ta/Ni80Fe20/Ir19Mn81/Co90Fe10∥NOL1∥Co90Fe10/Cu/Co90Fe10∥NOL2/Ta......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率......
系统地研究了纳米氧化层(NOL)在PtMn基镜面反射Spin Valve磁性薄膜中的作用和其结构特征.研究发现,自然氧化和等离子氧化形成的NOL......
采用磁控溅射的方法制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻薄膜,分别将CoFe-NOL和Al2O3插层引入NiFe薄膜,研究纳米氧化层（NOL）对NiFe薄膜性能的影响......
采用磁控溅射方法制备了Pd（3nm）／CoFe（0．8nm）／纳米氧化层／CoFe（fnm）／Cu（4nm）／Pd（5nm）自旋阀底电极薄膜，并用振动样品磁强计对样品的磁性能进行了测量......
各向异性磁电阻（AMR）薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的......
