线边缘粗糙度相关论文
介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工......
本文首先研究了原子力显微镜的工作原理、成像过程、仪器结构和工作模式。并对探针的膨胀作用、扫描图像的滤波去噪等测量时存......
集成电路的刻线线宽测量是目前微纳计量领域的热点。主要研究的是对纳米尺度的刻线尺寸以及它的表面因素参数进行表征的技术,表征......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对现有线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)表征参数的不足,提出采用基于Motif参数的LER表征方法.对Motif参数的基本概念和评......
详细论述了刻线边缘粗糙度问题的产生原因,线边缘粗糙度的定义以及目前采用的测量方法和分析方法,比较了线边缘粗糙度的测量工具,......
为了对线边缘粗糙度（LER）和线宽粗糙度（LWR）进行分析和表征，采用电子束光刻工艺和感应耦合等离子体刻蚀工艺制备了两种纳米尺度栅线结构......
为了满足微电子制造技术中不断提高的刻线边缘粗糙度测量与控制精度的要求，对使用原子力显微镜（AFM）测量刻线边缘粗糙度的影响因素进......
针对使用原子力显微镜测量纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度的参数表征问题进行了研究．在对线边缘粗糙度的定义与现有测量方法进行分析......
为了解决微电子制造技术中纳米尺度半导体刻线边缘粗糙度（line edge roughness, LER）的测量问题，笔者提出了基于平稳小波变换的线边缘......
随着集成电路互连技术的不断发展,器件和互连线尺寸都越来越小,以至于特征尺寸达到几十纳米的技术节点。虽然互连加工工艺不断完善......
对目前线边缘粗糙度（Line edge roughness，LER）的研究进行了分类，区分线宽变化率、线的边缘粗糙度和侧墙（边缘）粗糙度的物理本质。重新给......
随着集成电路制造业的迅速发展,芯片内的刻线宽度作为其工艺特征尺寸已下降到100nm以下量级。对纳米尺度刻线尺寸越来越严格的控制......
随着半导体技术的不断发展 ,半导体刻线临界尺寸不断降低 ,线边缘粗糙度对元件性能的影响越来越大。本文综合运用图像处理中的直方......
