自旋晶体管相关论文
日本东京的农工大学工学院的佐腾胜昭教授开发了一种在室温下显示铁磁性能的磁性半导体材料。这种磁性半导体可显示出比传统材料更......
本文综述了自旋极化输运过程中巡游电子的自旋极化、自旋相关的散射及自旋弛豫等三方面的内容；全面总结了铁磁金属的磁电阻效应（ＡＭＲ）、磁......
韩国科技规划评价院(KISTEP)日前评选并公布了今后10年将改变韩国生活的“十大未来技术”。此次评选的十大技术包括实时自动翻译技......
双势垒磁性隧道结，由于其丰富的物理内涵和在未来自旋电子器件中具有广泛应用前景，已成为自旋电子学领域的重要研究热点之一。本文中......
简述了铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋阀巨磁电阻效应产生的物理机制。介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原......
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利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar......
一九九三年重大科技新成就王珩沂编译基因疗法一九九三年对竞相揭开人类ＤＮＡ奥秘的基因工程技术人员来说，是个大丰收年。科研人员不仅准......
简述了铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋阀巨磁电阻效应产生的物理机制。介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原......
韩国科技规划评价院（KISTEP）13前评选并公布了今后10年将改变韩国生活的“10大未来技术”。报告显示，此次评选的10大技术包括实时自动......
利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe／Ag／NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数AR／R≥9％，全金属自旋晶体管试样集电极电......
把磁性元件和电子学元件结合起来的磁电子学器件,已开始出现实验室和商业化产品.本文介绍了磁电子学在计算机读出磁头、随机存取存......
1988年，基于磁性金属多层膜的巨磁电阻(GMR)效应被发现．1977年IBM公司将GMR读出头引入到硬盘驱动器，从此这类利用电子自旋自由度更深......
电子自旋的奇异性质正在为存储器行业带来一场革命.如果自旋也可应用于逻辑电路,那么电子学(electronics)将会成为"自旋电子学(spi......
用磁控溅射及光刻工艺制成了 5μ m× 5μ m 的 Co/Cu/FeNi三端结器件,测量了不同注入电流下样品的输出电压与外磁场的关系,发......
该文提出了一种电流放大型自旋晶体管设计思想,并对其电流放大系数作了一定的分析讨论.自旋晶体管中的电流放大系数主要取决于注入......
自旋晶体管是指利用电子自旋自由度构建的在结构上类似于传统半导体晶体管的三端自旋器件.对基于自旋劈裂的磁双极型自旋晶体管、......
无论是研究电噪声现象,还是研究电噪声的应用,噪声机制的确定和模型的建立都是必不可少的。与常规器件相比,半导体纳米器件中的噪......
