磁输运相关论文
自旋电子学是实现小型化、快速读写、高磁存储密度、高灵敏度器件的基础。目前,磁存储器（MRAM）等的研究和开发已成为自旋电子学研究......
我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发......
利用脉冲激光沉积法制备了由单一钙钛相组成的NdSrMnO和由钙钛矿相与金属Ag相组成的NdSrAgMnO薄膜,研究了这两种薄膜的庞磁电阻效......
本文对LaBaMnFeO(0.0≤x≤0.35)样品进行了Mossbauer谱和磁输运性质的研究.Fe和Ba的掺杂由于改变了双交换作用的大小,所以对磁性和......
本文对LaBaMnFeO(0.0≤x≤0.35)样品进行了Mossbauer谱和磁输运性质的研究.Fe和Ba的掺杂由于改变了双交换作用的大小,所以对磁性和......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
当今大数据时代,传统硬盘在进一步提高存储密度的过程中,面临严重的超顺磁效应的制约,而存储单元分立的图案化磁记录介质有望取代......
随着微纳电子器件集成度的不断提高,半导体工艺制程不断逼近原子尺度,量子效应对器件性能的制约使得采用新的技术路径来摆脱这一困......
由于其极长费米的波长λF( 30纳米)、较小的有效质量(m* 0.01me)、长的载流子平均自由程等特性,上世纪60年代铋薄膜就已经受到广泛......
本文通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁......
半导体异质结构中二维电子气的磁阻振荡是一种二维电子的量子效应，反映朗道能级态密度在费米面处的变化。通过磁输运测量来研究二维......
本文使用深低温磁输运测量系统，在深低温、强磁场下对InGaAs/InAlAs量子阱样品进行了磁输运测量，讨论了二维电子气系统中的自旋-轨道......
宽禁带半导体中,GaN具有禁带宽度大、热导率大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等特点,其在高温以及微波功率器件制造方面具有非......
FeO是典型的反尖晶石铁氧体.它在降温跨越Verwey转变点时呈现出半导体一绝缘转变,同时晶格从立方对称变成正交或三角晶系.围绕此晶......
近年来,高极化颗粒复合体系由于其重要的理论价值和广泛的应用前景而备受关注.在介电材料中,有由分散在液态基质中的高极化介电颗......
磁电子学是当今国际凝聚态物理和材料科学界关注的方向之一，它是小型化，快速化，高存储密度，高灵敏磁性器件的基础。自旋电子学的基础研......
颗粒磁矩的动态翻转特性是开发研制磁性存储器、磁传感器、磁探测器等器件的重要课题。磁化强度取向的稳定性及翻转快慢将直接影响......
半金属氧化物由于重要的理论价值和广泛的应用前景而倍受关注。在半金属氧化物的多晶、冷压粉末以及其它材料的复合物等颗粒体系中......
本论文针对锗硅核壳型纳米线这种新型半导体材料中的空穴输运性质进行了低温下量子输运性质的实验研究。主要侧重于两个方面：一是通......
采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at％)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温.研究了Co-C颗粒......
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现......
研究了低温(1·5K)和强磁场(0—13T)条件下,InP基In0·53Ga0·47As/In0·52Al0·48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
用分子束外延（molecular beam epitaxy,MBE）方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。......
用液相外延（LPE）方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19μm的Hg1-xCdxTe样品。在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料。......
巨磁阻和反常霍耳效应都是与电子自旋相关散射有关的磁输运现象，应用扩展的有效介质近似方法和双通道模型，研究了磁颗粒复合体系中的......
半金属磁体是近些年来日益受到关注的一种新材料，也是物质具有一种新形态，在半金属磁体的能带结构中，两个自旋子能带分别具有金属性与......
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度，成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种......
通过低温和高磁场下的磁输运测量，首次在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结中观察到了舒勃尼科夫－德哈斯振荡的双周期特性，发现在Ａｌ０．２２Ｇａ０．７８Ｎ／ＧａＮ异质结的三角势阱中产生了二维电......
磁电子学是当今国际凝聚态物理和材料科学界关注的方向之一，它是小型化，快速化，高存储密度，高灵敏磁性器件的基础。自旋电子学的基础研......
通过测量经紫外辐照的样品的磁输运特性和复合特性,研究N~+表面累积层对钝化N-Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te的影响。紫外辐射使N~+表面层......
期刊
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_（1-x）Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多......
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μ......
半导体异质结二维电子气的磁阻振荡是由电子的量子效应引起的,反映朗道能级态密度在费米面处的变化。通过磁输运（Transport）测量来研......
详细分析了两类碲镉汞（HgCdTe）材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载......
自旋轨道耦合和塞曼效应是影响电子自旋动力学的两个重要物理机制,本论文验证和扩展了两者相互竞争的理论。另外还研究了Mg Zn O薄......
自旋电子学是近些年来在半导体电子学和磁电子学基础上发展起来的一门新兴交叉学科。丰富的物理内涵、明确的应用目标以及广阔的市......
近年来,崛起的二维层状材料引起了越来越多的学者关注,如石墨烯、过渡金属硫化物、氮化硼和硅烯等。由于石墨烯的零带隙,过渡金属......
自从在锰基钙钛矿结构氧化物中发现超大磁电阻（CMR）效应以来,这类化合物引起了人们广泛的兴趣。CMR 效应普遍被认为是由磁场导致的Mn......
