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通过温度压力改变，使整个ＬＥＣＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩＧａＡｓ单晶。单晶表面离解少，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析......
作者分析了树脂砂铸件产生气孔的原因,提出了提高浇注速度、增加浇注压力头、选择合适的内浇道位置、提高浇注湿度、在易产生气孔......
为满足LJ300连续挤压生产线要求,选定超声波清洗法,并对清洗剂配方及清洗工艺进行了研究。
To meet the LJ300 continuous extrus......
用量子含时波包法研究了Ｄ２在镍表面顶－桥位上离解吸附量子动力学．计算了不同入射动能及初始振转态的离解几率．讨论了分子的同核对称性、......
用卤素灯在砷气压下对注Si~+的GaAs进行快速热退火,以研究退火温度和退火时间对薄层载流子浓度和迁移率的影响。注入层的激活率主......
本文介绍了用全密封直拉(FEC)法与掺杂等价元素 In 相结合生长无位错 GaAs 单晶。实验表明可以成功地获得直径为25～30mm 的无位错半......
采刚体外大鼠红细胞溶血实验和小鼠腹腔巨噬细胞体外培养的方法,研究了硫酸锌与石英尘对大鼠红细咆、小鼠腹腔巨噬细胞的联合作用......
Investigations on surface decomposition of GaN implanted with low energy (80 keV) Eu ion to a low dose (l×1014 cm-2......
