化学配比相关论文
近年来,在我国经济的转型和产业结构调整的浪潮下,智能制造已成为制造业发展中的主攻方向。工业机器人是智能制造的重要组成部分,......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
硒化镓（GaSe）晶体是一种综合性能优异的非线性光学晶体材料,在中远红外波段以及太赫兹波段都有重要应用。GaSe还可以作为二维材料应......
生长了系列掺杂低铁(质量分数分别为0×10-6,3×10-6,5×10-6,10×10-6,25×10-6,50×10-6、100×10-6)的近化学配比铌酸锂(SLN)晶......
用热分解法在玻璃衬底上制备了Ｃｕ添加的Ｂｉ，Ａｌ：ＤｙＩＧ磁光薄膜，对其静态读、写性能进行了详细的研究。Ｃｕ添加的薄膜可获得高的矫顽力和好的矩形化，对记......
ＬｉＧａＯ２与ＧａＮ的晶格失配率只有０．２％，是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验，用提拉法生长了尺寸为１５×６０ｍｍ的高质量ＬｉＧａＯ２单晶。利用化学侵蚀、光学显微......
在高压液封切克劳斯基(LEC)方法生长InP晶体过程中,孪晶出现是一个比较突出的问题。但是选择合理的热场、注意液封剂B_2 O_3脱水条......
引言砷化镓是重要的半导体材料,最近几年发展很快。为了加速我国电子工业的发展,早日实现四个现代化,对砷化镓的现状进行综合讨论......
研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘 (I2 ) ;采用“三温区汽相合成法”将高纯汞 (Hg)与高纯碘合成碘化汞(Hg I2 ) ;α- Hg I2 单......
介绍了利用Nd:YAG激光的三倍频激发自发振动喇曼散射技术对燃烧场的诊断及相关的实验原理,测量了不同配比条件下的CH4-air预混火焰......
作者采用正电子湮没寿命谱的方法,研究了化学配比(Al2O3/MgO)为2.3和2的尖晶石透明陶瓷中,掺入不同量La后的正电子湮没特性及缺陷......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术，在Si（100）衬底上制备出高度c轴取向的ZnO薄膜。通过X射线衍射（XRD）谱，扫描电镜（SEM）和室温光致发光（PL）光谱的测量，......
利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)的测试手段,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究,结果表明丰w样品增加晶体中铅......
采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 G......
介绍了利用Nd：YAG激光的三倍频激发自发振动喇曼散射技术对燃烧场的诊断及相关的实验原理，测量了不同配比条件下的CH4-air预混火焰内......
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会议
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低钙粉煤灰在常温条件下合成地聚物存在反应度低、强度低的问题。本研究在低钙粉煤灰中掺入20%赤泥制备地聚物,研究其力学性质,并......
期刊
以固溶度积公式、理想化学配比和有关的物理冶金学理论为基础,考虑到实际生产条件的限制,由此提出了微合金钢化学成分设计中的一些......
利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光......
化合物半导体材料磷化铟在半导体行业中占据了重要的地位。磷化铟具有的一些优良性能使得它在多个领域得到了广泛应用。而器件优良......
随着半导体产业的不断发展进步，化合物半导体材料InP表现出来的优势越来越明显。熔体的化学配比能够影响晶体内部缺陷，从而决定着材......
介绍了缺陷工程的概念，描述了几种重要半导体缺陷，如表面缺陷、界面缺陷、偏离化学配比等。提出了正面利用缺陷以提高器件的成品率和......
