液封直拉法相关论文
在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无......
利用金相显微镜和微区红外测量技术分析热处理对液封直拉法生长的大直径半绝缘砷化镓(LEC SI-GaAs)单晶中深施主缺陷EL2的影响。结......
本文导出了有关液封法拉制砷化镓单晶的分配—分凝方程,并讨论了提高GaAS单晶的纵向均匀性的有效途径。一、前目目口目前由于砷化......
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表......
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟（InP）熔体，并利用液封直拉法（LEC）生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光......
运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法（LEC）生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶。运用高分辨率X射线......
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的......
<正> 3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较......
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ0PC-LEC)0垂直梯度凝固技术(......
介绍了InP单晶材料的特性、应用方向及制备的主要方法,主要包括液封直拉技术（LEC）、气压控制直拉技术（VCZ/PC-LEC）、垂直梯度凝固技术（V......
