过剩噪声相关论文
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器（APD）是应......
基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效......
提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I 2E)设计了双电荷层双倍增层结构......
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪......
基于弛豫空间倍增理论数值模型和修正的弛豫空间倍增理论模型,分析了不同倍增级数和不同载流子初始能量时级联倍增雪崩探测器的过......
随着器件的尺寸的越来越小,一些传统的半导体器件的模拟方法都存在不可避免的局限性。在小尺寸领域,蒙特卡洛方法作为一种可靠的模......
雪崩光电二极管(APD)作为光探测器是光通信系统中的关键器件,与传统的PIN探测器相比,具有内部增益的APD可提供更高的灵敏度,因而一......
短沟道MOSFET因其高集成度、高性能、低功耗和低成本的优点,被广泛应用于射频与毫米波集成电路中。作为设计CMOS低噪声电路的基础,......
实验测量和理论模拟结果都表明,当器件沟道长度减小到某一长度后,载流子输运机制将从漂移扩散向准弹道甚至弹道输运过渡,而器件中......
