弹道输运相关论文
[目的]人工智能、大数据等领域的发展对芯片算力和能效的要求越来越高,硅基芯片技术受到功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,面临日益......
最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪......
基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应......
在传统天线设计中，高增益和小型化难以同时实现，新型碳纳米管阵列天线的提出给上述问题的解决带来了希望。根据纳米物理，在碳纳米管内......
利用两端区域为二维自由电子气,中间区域为准一维均匀直通道的简单理论模型,即2D-准1D-2D模型,研究了低温下不同纵横比(通道长宽比......
为了研究以磷烯为材料的T型三端弹道结的电学输运特性,利用kwant软件模拟计算右端边缘分别为锯齿形和扶手椅形三端弹道结的输出电......
采用非平衡分子动力学方法研究了室温下（5,5）碳纳米管的热导率。当管长从6 nm增加到4μm时,其热导率从30 W/（m·K）增加为1000 W/（m&......
借助于扫描电子显微镜中可移动金属探针的测量系统,实现了探针电极与W衬底上生长的单根多壁碳纳米管一端的完美接触.研究了单根多......
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度，人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究，其中最重要的纳米尺度器件是基......
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型．采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流，同时在器件垂直于沟道方向的横......
在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿(S／D tunneling)，采用WKB方法计算载流子源漏隧穿几率，对薄硅层(硅层厚度为1nm)DG(dual gate)MOSFE......
石墨烯独特的晶体结构赋予了它诸多优异性质,如室温下极高的电子迁移率和热导率以及稳定的物理化学特性等[1,2]。近年的研究表明,......
采用非平衡分子动力学方法研究了300K和1000K时(5,5)碳纳米管热导率随长度的变化.在室温下,碳纳米管长度小于40nm时热导率与长度呈......
随着器件尺寸的日益缩小，基于迁移率的传统载流子输运模型已不能很好地适用。以肖特基势垒遂穿晶体管[SBTT]为研究对象，用蒙特卡罗[M......
本文在引入了弹道输运的概念后,对高温超导体正常态下电阻率和霍耳效应的各向异性以及它们奇异的温度特性统一地进行了解释;对温差......
自2004年科研工作者利用胶带剥离石墨烯以来,石墨烯由于其超高的电子迁移率、特殊的零带隙能带结构、其费米面(Fermi)附近的载流子......
论述了纳米电子器件与结构中散粒噪声的产生机理和影响因素，表明散粒噪声与输运过程密切相关，按照噪声功率谱的幅值大小将散粒噪声分......
理论研究了势垒对量子线中电子弹道输运性质的影响.我们采用了转移矩阵方法和截断近似技术.计算结果表明,当不存在势垒时,量子线的......
基于时域抽运探测热反射法(TDTR),通过改变抽运光光斑直径和调制频率的方式控制被测样品单元体,探究不同温度下被测样品单元体内能......
价格昂贵、灵敏度低、可集成性差一直是红外成像的应用受到限制的重要原因,基于新原理来实现价格低廉、灵敏度高、性能优异的红外......
近年来,随着微／纳制造技术的飞速发展,电子器件的尺寸已经进入纳米尺度。纳米尺度量子器件由于其优良的性能以及重要的应用前景已经......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
半导体微结构的尺度可以与电子的相位相干长度相比较，在输运过程中，电子保持“相位记忆”，表现为量子弹道式输运和具有量子相干性．本文......
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本文在仔细总结了碳纳米管基本特性和纳米场效应管建模基本理论的基础上,对以半导体性的碳纳米管这一新型材料做为沟道的场效应管......
二十世纪九十年代初，由于电子束微刻等技术的发展和成熟，人们在实验室中实现了对二维电子气的纳米尺度的磁调制。由于这种结构具有奇......
