过硅通孔相关论文
三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成，并通过过硅通孔（TSV，Through SiliconVia）进行层间互连，显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成......
三维堆叠集成电路（3D-SIC）主要采用过硅通孔（through silicon via,TSV）技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶......
过硅通孔技术，提供了高密度、低延时和低功耗的垂直互连，芯片在三维方向堆叠的密度大、互连线短，从而使三维堆叠芯片成为可能。文章介......
三维（3-Dimension）芯片结构由于有着高密度、高速率、低功耗等优点而逐渐成为超大规模集成电路技术中的热门研究方向之一，在3D结构中......
于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器，其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟，使得过硅通孔容易出现......
三维堆叠集成电路测试中的一个关键的挑战是在功耗约束下,在绑定前测试和绑定后测试中,协同优化测试应用时间和测试硬件开销。将传......
伴随着晶体管纳米级别的不断缩小,芯片内部的集成度越来越高、器件的几何尺寸也越来越小。通过减小晶体管工艺尺寸和缩短芯片相互......
集成电路复杂度的提高和半导体制造工艺的发展使得单个芯片上所能集成的器件数量越来越多，造成了功耗迅速增加和芯片内布线更加复杂......
