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三维相变存储器（3D PCM）采用交叉堆叠的方式保证优异存储性能的同时极大地提高了存储密度,成为最接近大规模产业化的下一代非易失性......
传统主存DRAM和外存NAND之间存在巨大的性能和成本差异且面临日益严峻的微缩困境,业界提出了各种新型电阻式存储器来对其进行补充......
三维相变存储器（3D PCM）使用多层交叉堆叠结构在保持优异存储性能的同时成倍提高了存储密度,因而备受业界关注,但随着阵列规模的提高......
近年来,随着人工智能、云计算等新兴科学技术的不断发展,对于信息存储能力的需求日益提高。为了提高存储器的密度,器件的尺寸不断......
阻变存储器(Resistive Switching Memories,RRAMs)作为新型非易失性存储器的一种,具有简单类电容结构、最小4F~2单元面积、易三维......
相变存储器因其读写速度快、低功耗、可多值存储、能与CMOS工艺兼容等特点，是最有希望取代FLASH的下一代非易失型存储器之一。但由......
