三维集成相关论文
集成电路逻辑技术和存储技术在后摩尔时代已无法单纯依靠平面尺寸微缩来实现更新迭代，立体化（或三维化）已成为重要的发展方向。文章主......
提出一种硅基相控阵子阵微系统三维集成架构，采用硅通孔，圆片级键合等微机电系统技术和70%高硅铝合金（Si-Al）、纳米银胶等先进材料，实现......
介绍了三维集成微波组件的典型集成架构及其特点，综述了三维集成微波组件基板技术、垂直互连及热设计等关键技术研究现状，对主要技术......
高性能计算、第五代（5G）通信和物联网（IOT）应用对宽带滤波器的需求不断增加,对滤波器基板的性能要求更高,要求减少高频损耗,提高垂直互......
三维集成是当前微电子领域的研究热点之一,2.5D/3D Si P技术已在诸多集成电路细分领域得到推广应用,基于Chiplet的异构集成技术近......
光学滤波器是密集波分复用系统的重要组成部分,可以广泛应用于光通信和微波光子方向,提高信道的通信能力。光学滤波器的滤波原理主......
提出了一种在模组底面同时设计弹性互连接口和芯片封装腔的集成架构，实现了芯片三维堆叠和电路面积的高效利用。重点介绍了三维模组......
三维集成封装在电子封装领域中所占的地位越来越重要。在三维集成封装的工艺步骤中,键合技术为关键工艺之一。如何将基板之间在较......
目前随着半导体技术的发展,各种封装技术不断涌现。系统级封装技术（SiP）凭借高集成的特点以及在与其他工艺结合时的便利性在一众封装......
随着器件特征尺寸的不断减小、芯片集成度的不断提高,超越摩尔定律成为了集成电路行业的发展趋势。在此趋势下,三维集成技术和TSV......
为满足雷达接收机中频滤波器组集成滤波器数量多、集成度高的需求,文中采用三维集成技术,设计了一种小型化LC滤波器电路,并对三维L......
本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电......
转接板（Interposer）是三维集成微系统中高密度互联和集成无源元件的载体,是实现三维集成的核心材料,具有摩尔时代硅基板相当的意义。......
研究星载信息处理与控制系统利用微系统技术解决空间装备小型化、高可靠、高性能与高效热管理的问题。首先介绍基于新型星载器件的......
硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法......
在军、民用非协作无线通信中,只有快速、准确地完成调制识别,相应采用正确解调方法,才能及时、正确接收来自多个发送源的信号。传......
在硅基板或者CMOS圆片上通过异质异构集成集成化合物半导体、CMOS、MEMS芯片、等,充分发挥材料、器件与结构的优势,使射频电路最优......
三维集成的技术优势正在延伸到大量销售的诸如消费类电子设备潜在应用的产品领域.这些新技术也在推进着当前许多生产工艺的包封能......
片式T/R组件是一种新集成形态的微波集成产品,由于采用了基板立体堆叠的三维立体集成方法,具有小、薄、轻的特点,主要应用于星载相......
详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度(Sidewall Roughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响,并通过全波电磁场仿真......
为了完成有源芯片上小孔径、高深宽比硅通孔(TSV)的制作,研究了基于电感耦合等离子体(ICP)技术的SiO2微孔深刻蚀工艺,实现了以C4 F......
传统集成电路在材料、工艺、互连延时、功耗等多方面遭遇瓶颈，三维集成成为重要的研究方向，有十分广阔的应用前景。微凸点和硅通孔（TS......
随着芯片集成度不断提高、电子产品小型化，集成电路特征尺寸已逐渐趋近物理极限，材料、工艺等方面遇到了许多难以逾越的瓶颈，传统二维......
微电子产业在过去几十年遵循摩尔定律持续不断发展,然而,随着电子器件尺寸的减小及芯片集成度的提高,芯片特征尺寸趋近物理极限,传......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
异质集成技术是微系统的核心技术,分为混合异质集成技术和单片异质集成技术。单片异质集成技术因具有较高的集成度,逐渐成为研究热......
基于系统集成理论研究了项目管理的信息需求,提出以信息化作为建筑项目集成化管理的主导手段,面向各参与方建立项目管理信息系统,......
标准单元布局是超大规模集成电路自动化设计的一个关键阶段.针对三维布局问题,提出一种面向标准单元的密度驱动划分方法.该方法将......
采用已有地形图资料建立反映地表起伏的DEM,在DEM上叠加高分辨遥感影像显示反映地面自然与人文信息细节的地表真实(Groud Truth),......
提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺.应用此项技术能够方便地形成双栅、三栅以及围栅等各种多面栅结构;同时,......
二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评......
在封装的舞台上，三维集成技术因为在提高电子系统的性能和微型化方面效果卓著而引起重视。目前三维技术的手段一般采用较长的焊线来......
硅通孔技术是当前在微波毫米波三维集成微系统领域的重点研究方向之一,本文基于现有的硅通孔工艺技术开展宽带毫米波垂直传输结构......
基于毛纽扣独特的特性,对垂直互连技术展开研究,设计了一种基于毛纽扣的垂直互连结构,通过对毛纽扣绕制成型工艺的研究,完成毛纽扣......
微电子系统的三维集成极大地缩短了互连长度、时延和减小系统尺寸,同时还可通过异质集成实现多功能性。硅通孔是实现三维集成系统......
介绍了集成微系统概念与内涵的发展历程,从小型智能化和频谱开发两个方面总结了集成微系统技术的重要应用,分析了国内外集成微系统......
通信技术多元化对通信终端同时处理不同业务的能力提出了更高的要求,多频系统将成为通信技术未来的发展趋势之一。多通带滤波器作......
以信息技术为主体的信息革命浪潮推动着21世纪正式进入信息化时代,受寄生电容、寄生电阻等限制的传统集成电路已不能满足当前快速......
近年来随着集成电路的飞速发展,晶体管尺寸接近物理极限,工艺尺寸的缩减已经难以提高集成电路的集成度,摩尔定律逐渐“失效”,然而......
给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器（3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor）的温度特性,通过Matlab分析热容、热......
城市政务服务中心质量管理是城市整体治理的重要组成部分,探讨其影响因素是提高质量管理效能、提升总体质量的重要前提。引入质量......
本文对有发展前途的三维（3D）技术平台进行简要回顾，说明采用校准型晶圆片压焊技术的晶圆片级三维（3D）集成。重点强调了胶粘剂晶圆片压焊......
随着芯片上IP(Intellecture Property)核数目的增多,IP核之间的互连问题已经成为制约芯片性能提升的主要瓶颈,实现数量众多的IP核......
<正>南京电子器件研究所将CMOS芯片、GaAs多功能芯片、硅基IPD芯片、TCSAW滤波器等多种工艺制程的芯片异构集成到硅基晶圆上,再采......
随着多通道、多制式射频收发系统在机载、车载、空间飞行器等移动平台上的应用需求日益迫切,可将成套射频收发电路高密度集成于单......
