交叉阵列相关论文
随着半导体技术的飞速发展,统治这一领域的CMOS晶体管正面临着前所未有的困境:尺寸逐渐逼近其物理极限,指导和引领了集成电路产业......
随着芯片的器件尺寸越来越接近物理极限,摩尔定律正在失效。同时,芯片中信息存储和计算相分离的冯·诺依曼架构限制了数据存储和传......
存储器是当今集成电路产业中的核心部分,随着半导体行业的迅速发展,人们对存储器的要求也越来越高。传统的闪存类存储器由于尺寸过......
随着人工智能领域的不断发展,传统计算机架构已经无法满足信息数据处理的需求。忆阻器的阻变特性可以模拟突触和神经元的神经功能,......
在信息全球化的时代,数据作为信息的载体,需要被存储起来再转发出去。随着经济的增长,各种电子设备应运而生,需要存储的数据量越来......
在信息化社会不断发展的过程中,利用大规模集成电路来模拟生物学上大脑的信息处理过程的神经形态技术在自动控制、模式识别和人工......
随着时代的发展,集成电路在体积和性能方面已经达到了技术极限,其发展遇到了瓶颈,因此急需寻找一种新型元器件取代晶体管,以延续摩......
忆阻器是一种具有非易失记忆性的非线性二端无源器件,在电路中的作用类似于阻值可调的电阻,其阻值只与其内部的状态有关。研究表明......
随着现代电子技术和生物技术的发展,神经形态计算逐渐引起学术界的广泛关注。它通过模拟人脑的神经网络来实现模式识别、自动控制......
模糊推理系统自提出以来一直被认为是一种最接近人脑计算能力的智能系统,模糊系统具有推理过程容易理解、专家知识利用较好、对样......
推导了忆阻器的电荷控制和磁通量控制数学模型，在该基础上研究了其电导状态连续可变的性质和记忆功能。提出了用脉冲控制忆阻器实现......
对满足条件（i）对Г中任意一边uv,Di^i＋1是团，和条件（ii）对某个整数i（1〈i〈d），Ci=1且ai^2=bi，且直径为d，价为k的齐次图Г进行了完全分类．......
本文对满足条件（1）对T中任意一边uv，Di^i＋1（u，v）是团，和条件（2）对某个整数i（1〈i〈d），ci=1且αi^2=bi，且直径为d，价为k的齐次图T进行了完全分类．......
随着神经网络的快速发展,它已在多个领域大放光彩,但是目前传统的神经网络多采用软件方式在计算机上运行,在实现相同的任务如图像......
随着晶体管尺寸的不断减小,集成电路的体积和计算性能越来越逼近极限,CMOS的发展面临着巨大的挑战。忆阻器,作为一种新型纳米电子......
利用距离正则图的特征值方法和交叉数的性质，证明了具有下列交叉阵列的距离正则图是不存在的．......
储罐钢板凹坑缺陷漏磁场的分布较为复杂,单个传感器难以捕获足够的漏磁场信息。针对这一问题,设计了由三维磁传感器构成的直线阵列......
忆阻器的提出和发现为电子计算技术的发展和人工神经网络的研究与实现带来了新的动力。忆阻器所具有的非线性、非易失性、无源性及......
中国科学院微电子研究所的研究人员在阻变存储器（RRAM）三维垂直交叉阵列研究领域取得了新的突破性进展，提出了白对准高性能自选通阻变......
口前，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器（RRAM）三维垂直交叉阵列研究领域取得了突破性进展，提出了自对......
忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻,其阻值的变化依赖于流过它的电荷数量或磁通量.忆阻器作为第4个基本的电路元件,在众多领域中......
