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构建基于二维石墨炔材料的纳米电子器件时,二维半导体材料需要与金属电极接触,形成半导体-金属结。金属与二维半导体材料的接触情......
随着集成电路的大量使用以及其集成度的持续增多,单元尺寸的晶体管变得越来越小,硅材料的物理极限即将达到。短沟道效应严重限制住......
近年来,二维半导体材料因其独特的光学、电学等优异性能一直受到研究者的青睐,基于二维半导体的应用研究也获得了蓬勃发展,它是最......
一维纳米材料被认为是纳电子器件的构建基石，具有诱人的应用前景。对于单根纳米线的电学测试与基于纳米线器件的制作和性能表征在深......
氧化锌（ZnO）和二氧化铱（IrO2）都是一种具有独特性的半导体材料,这种半导体材料的结构呈现出六方形,所以ZnO以及IrO2又被称作是II-VI半......
Hg1-xMnxTe是由二价磁性离子Mn2+部分取代HgTe晶格中的Hg2+形成的三元稀磁半导体。零磁场时，Hg1-xMnxTe的电子能带结构及其它半导体......
作为第三代半导体材料,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料性能优越,可以被用在电动汽车、电机驱动以及国防军工等高压、高频、高温......
