宽带隙半导体材料相关论文
硫化镉(CdS)是一种受到广泛应用的宽带隙半导体材料,CdS晶体属于Ⅱ-Ⅵ族化合物中的六方晶系,具有六角纤锌矿结构。由于其特有的物......
ZnO作为一种宽带隙半导体材料，具有优异的光电性能、高热稳定性、纳米结构丰富以及制备方法多样等特点，是一种优秀的场发射阴极材料......
GaN是一种宽带隙半导体材料，它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质。近年来，GaN材料在短波长发光器件、光探测器以及抗辐射、......
ZnO是直接的宽带隙半导体材料,被广泛应用于光电器件上。本论文中,我们利用射频磁控溅射方法在玻璃基底上成功制备了高质量的ZnO:A......
氮化镓属于宽带隙半导体材料,也是第三代半导体材料的代表,具有高载流子迁移率、良好的热传导性、生物相容性和化学稳定性等特点,......
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探......
辐射探测器已广泛应用在军事和民用方面，在军事方面主要用在核导弹制导技术、核武器等国防安全重点领域。在民用方面主要应用在医疗......
作为第三代宽带隙半导体材料，SiC具有极强的抗辐射性能，在航空航天、核能开发等方面具有非常明朗的应用前景。辐照条件下，SiC晶体中引......
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙半导体材料，有着广泛的应用前景。然而，由于p 型ZnO材料难以获得，使得ZnO的应用范围受到很大限制。因此，如何......
近年来,金属氧化物半导体纳米材料光催化过程具有降解效率高、稳定性好、易于合成及无毒环保等优点,在污水处理领域得到了广泛关注......
SiCN作为一种新型的第三代宽带隙半导体材料,以其较高的硬度、低摩擦系数、高温抗氧化性、良好的发光及场发射特性等物理化学特性,......
厦大自主研发的新型宽带隙半导体材料为深紫外光子学的发展提供了新的思路和方向。它的“秘诀”在于材料纯度和结构质量高，通过其中......
优势产业初步形成rn《兵团建设》:去年召开的兵团党委六届六次全委(扩大)会议上,自治区党委书记张春贤指出,“十二五”期间兵团要......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,对宽带隙半导体CdAl2 S4的晶格结构、电学、弹性和光学性能进行了系统的研究.研......
AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电......
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概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评......
由于一维纳米材料在发光等领域的巨大的应用潜力,近年来对纳米材料的研究也成为热点.ZnO作为一种宽带隙半导体材料,其纳米结构的研......
中国科学技术大学熊宇杰教授课题组基于应用广泛的半导体硅材料，采用金属纳米结构的热电子注入方法，设计出一种可在近红外区域进行光......
首先简要地介绍了作为现代信息社会基础的半导体材料和器件极其重要的地位，进而回顾了近年来半导体光电信息功能材料，包括半导体微电......
在冷壁式不锈钢超高真空系统上,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在直径为50 mm的单晶Si(100)和Si(111)晶向衬底上生长出了高取向......
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时......
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X......
