金属半导体接触相关论文
构建基于二维石墨炔材料的纳米电子器件时,二维半导体材料需要与金属电极接触,形成半导体-金属结。金属与二维半导体材料的接触情......
随着集成电路的大量使用以及其集成度的持续增多,单元尺寸的晶体管变得越来越小,硅材料的物理极限即将达到。短沟道效应严重限制住......
近年来,二维半导体材料因其独特的光学、电学等优异性能一直受到研究者的青睐,基于二维半导体的应用研究也获得了蓬勃发展,它是最......
本文研究了肖特基效应对金属半导体接触的影响.通过采用自洽的蒙特卡罗方法,模拟了引入肖特基效应后,SBD的垫垒降低量和工作特性,......
该文的主要工作在现有蒙特卡罗模拟平台的基础上,加入了二维肖特基接触模型,在二维全能带MC中实现了包括金属半导体接触中直接隧穿......
近年来，以大规模、集成化、多色化、微弱信号和三维探测为主要特点的第三代红外焦平面探测器成为碲镉汞红外焦平面探测器的主要发展......
AFM(原子力显微镜Atomic Force Microscope)作为一种表征纳米尺度材料和器件的重要仪器,在纳米材料和器件的研究中有着广泛的应用......
该论文涉及了High-K薄膜和金属/半导体异质结样品制备、结构和性质等方面的研究.其中包括:1.(Zr0)(Al0)x氧化物High-K薄膜生长条件......
氧化锌（ZnO）和二氧化铱（IrO2）都是一种具有独特性的半导体材料,这种半导体材料的结构呈现出六方形,所以ZnO以及IrO2又被称作是II-VI半......
Hg1-xMnxTe是由二价磁性离子Mn2+部分取代HgTe晶格中的Hg2+形成的三元稀磁半导体。零磁场时，Hg1-xMnxTe的电子能带结构及其它半导体......
作为第三代半导体材料,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料性能优越,可以被用在电动汽车、电机驱动以及国防军工等高压、高频、高温......
