金属有机气相沉积相关论文
In order to improve the characteristics of the general broad-waveguide 808-nm semiconductor laser diode (LD), we design ......
本文通过在前驱液中添加5％Zr,采用金属有机气相沉积(MOCVD)方法在有IBAD-MgO/LaMnO过渡层的哈氏合金基带上沉积多层有Zr掺杂的G......
在Al2O3陶瓷基片上以Mo(CO)6为源采用低压冷壁式设备和金属有机气相沉积(MOCVD)方法制备Mo2C薄膜,探讨了该薄膜结构受温度、压力和......
作为第三代半导体材料，ZnO(氧化锌)具有很多优点，例如它具有很高的激子束缚能，易湿法腐蚀，具有大面积的ZnO衬底以及材料成本较低等等，被......
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难......
以金属有机骨架化合物ZIF-8为载体,Pd（C3H5）（C5H5）为金属有机前体,采用金属有机气相沉积方法在室温下制备了Pd@ZIF-8催化剂.Pd纳米粒子......
以碱性阴离子交换树脂Amberlite IRA-900为载体,Pd(C3H5)(C5H5)为金属有机前体,采用金属有机气相沉积法在室温下制备了Pd@IRA-900......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Si衬底上实现了立方结构的Mg0.25Zn0.75O薄膜生长.在此基础上,实现了Mg0.25Zn0.75 O/n-Si异......
随着集成电路中时钟速度和布线密度的增加,由于功率损耗和带宽限制,通过传统电线的芯片间和芯片内互连遇到越来越多的困难。光互连......
在储氢、太阳能、核聚变等涉氢领域中,不锈钢是一种常见的结构材料。在使用过程中,不锈钢常与高温、高压氢或其同位素直接接触,同......
AlGaN基深紫外发光二极管(LED)是一种新型的固态紫外光源。相对于传统的紫外汞灯,AlGaN基紫外LED具有体积小、重量轻、功耗低、寿......
以金属有机骨架化合物ZIF-8为载体,Pd(C3H5)(C5H5)为金属有机前体,采用金属有机气相沉积方法在室温下制备了Pd@ZIF-8催化剂.Pd纳米......
期刊
近年来,半导体纳米线以其极小的径向尺寸、易于实现异质兼容的结构特征和新奇的物理特性成为信息材料领域的研究热点。相比用于传......
采用金属有机气相外延(MOCVD)方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN和高铝组分AlGaN材料。通过优化AlN和AlGaN材料的生长温度、生......
ZnO是一种直接宽带隙半导体光电材料,传统上,广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏元件、变阻器、透明电极等。室温下的禁带......
半导体纳米线以其独特的结构特征和新颖的物理特性成为当前半导体光电子领域的研究热点。InAs纳米线具有较窄的直接带隙和极高的电......
ZnO作为一种新型的Ⅱ—Ⅳ族化合物半导体材料,广泛应用于紫外发光器件、变阻器、表面声波器件、压电传感器、透明电极等领域。ZnO......
