灵敏放大器相关论文
随着集成电路技术的不断进步,静态随机存取存储器（Static Random Access Memory,SRAM）在片上系统（System on Chip,So C）中的作用越来越......
在半导体工艺不断逼近物理极限的背景下,各种新型存储器技术推动着集成电路的创新发展。基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Tran......
近代以来,随着我国航空事业的不断发展,航天技术日益成熟。当电子设备工作在宇宙空间区域时,就有可能发生辐射效应而导致飞行器功......
静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）是片上系统（So C）的重要组成部分,被大量应用于手持电子设备、传感器和医疗器械等......
灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）是SRAM（Static Random Access Memory）读取过程中的关键模块,它决定了SRAM读取过程的时间、功耗和准确......
学位
DRAM由于单元尺寸小、容量大、耐久度高等优点,被广泛应用于移动设备、服务器、PC等领域。其市场规模超过600亿美金,占全球集成电......
动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）是存储器产业的重要组成部分。灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）作为DRAM的关键电......
随着社会的不断发展,人们对通信的要求也越来越高,信息交换的数量之大和速度之快达到了前所未有的程度.IEEE802.3ae标准在2002年6......
半导体存储器是众多芯片家族之中的重要一支。现在数字设计的硅片中,近80%面积用于存储芯片。在今天高性能微处理器中一半以上的晶......
存储器作为集成电路中的重要组成部分,一直是电路设计者研究的重要对象。而随着集成电路的发展以及各种各样的新型技术的不断完善,......
和Flash存储器相比,RRAM(阻变存储器)作为一种新型非挥发性存储器具有运行速度快,耐久度高,工作电压低且易于集成等特点,被认为极......
随着人类航天航空事业以及集成电路的飞速发展,高速低功耗的抗辐射加固电子器件越发显得重要。基于灵敏放大器的触发器(Sense-Ampl......
随着科技的进步,人们对人工智能、大数据、云计算和物联网等新兴学科的关注度越来越高。这些学科的发展都是通过对于大量目标数据......
Flash是一种广泛应用于SoC上的重要存储器,在高密度数据的存储和嵌入式系统中的应用不断增加。随着工艺的进步,晶体管特征尺寸降低......
信息科技的飞速发展对信息传输里的信息安全提出越来越高的要求。存储器是信息科技中数据存储、信息交换的主要载体，也因此成为了半......
设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、......
针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方......
随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采......
SRAM编译器一般需要配置具有各种字宽、各种容量的SRAM.针对这种需求,SRAM阵列和外围电路需要设计成具有可配置性、可复用性的结构......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
本文介绍了一种利用 0 6 μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的 4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计 (A SIC) .ROM单元应用串行结构 ,整个芯......
期刊
本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K&#......
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能。本......
设计了一个1kb EEPROM IP电路，包括1．2μm EEPROM工艺和EEPROM IP电路的设计。通过对电路结构的改进和对电路的优化设计，达到了低压低......
提出了一种用于非挥发性存储器的新型电压灵敏放大器。该电路采用一种可以自动关断、电流可控的预充电路，可以有效消除由于存储容量......
本文设计了一种应用于反熔丝型OTP存储器的新型Bi CMOS灵敏放大器电路。本设计的电路运用了Bi CMOS技术,以运放结构为基础,结合预......
摘要:失調电压是灵敏放大器的一个最重要的参数，其不仅影响灵敏放大器本身的性能，而且对整个SRAM的速度、功耗以及良率等都有着重要......
高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战.本文设计了一款4-Mb(512K×8bi......
设计了一个低功耗抗辐照加固的256kbSRAM。为实现抗辐照加固，采用了双向互锁存储单元（DICE）构以及抗辐照加固版图技术。提出了一种新......
总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储......
随着半导体工艺节点进入微纳尺度,微弱的位线电流和较大的器件参数偏差成为制约读取电路速度和良率的主要因素,由此提出了基于电流......
设计一款基于65nm CMOS工艺、数据传输速率在6．25Gb／s的SerDes接收器，其中均衡电路采用连续时间线性均衡器；采样电路采用了一种新型灵......
在SOC系统级芯片中,存储器占有很重要的地位.随着电路频率的提高,存储器的读写操作速度也要求相应的加快.SRAM中的灵敏放大器通过......
随着CMOS工艺发展,高性能SoC的泄漏功耗占整体能耗的比例越来越大,内嵌存储器的泄漏是整体泄漏的主要来源,有两方面原因：（1）芯片内嵌......
以延时和功耗为指标,对64KB SRAM进行了整体设计和实现。把解码器中传统的CMOS静态门修改成SCL和预充电门,提高了解码器速度;提出6......
邻近通信技术是一种创新性的芯片连接技术，它采用电容接口进行连接，避免了片外引线，具有高速、高带宽、低功耗等优点，可实现圆片级集成......
通过对热噪声模型和灵敏放大器匹配机理的研究,提出一种可自适应匹配的真随机数发生器（True Random Number Generator,TRNG）设计方案......
提出了一种基于灵敏放大器的新型触发器，和其它触发器相比，该触发器在近似相等的功耗下能以更快的速度工作，并且共所需要的MOS管少，芯......
采用0．13／xm标准CMOS工艺，全定制设计实现了一款8kB（8k＊8bit）的高速低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。分析了影响存储器性能和功耗的原因，并......
设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二......
提出一种新型电流模式SRAM灵敏放大器结构。该灵敏放大器采用两级结构，通过增加一级基于锁存器结构的高速放大电路，能够快速感应位线......
文章提出了一种基于灵敏放大器的触发器设计,称为Cinv SAFF。Cinv SAFF沿用Con SAFF的主级部分,引入C单元加2个反相器构成的锁存器......
为提高灵敏放大器在读取单元电流时的可靠性,本文提出了一种抗失配,高可靠性,高灵敏度,低功耗的新型灵敏放大器,基于SIMC 0.13μm......
闪存是断电后数据仍然存在的半导体存储器,广泛用于计算机、通信、汽车和消费类电子工业中.灵敏放大器是闪存中的关键电路,它的性......
随着物联网行业的兴起,微处理器对功耗的要求越来越高,而用于高速缓存的静态随机存储器(SRAM)是微处理器的重要组成部分,为了降低......
随着数据Cache容量不断的增大,制造工艺不断的进步,存储单元尺寸不断的缩小,位线不断的变长,数据的访存时间也将随之不断地变长。......
以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4 kb (512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线......
