栅偏压相关论文
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)作为GaN材料在电子器件应用中的重要代表,近二十多年来备受关注。一方面,AlGaN/GaNHFETs有效......
介绍了乌克兰巴顿研究所60kW、60kV真空电子束高压电源的特点，高压整流器、调整电子管、栅偏压电子管主回路及其控制系统的基本原理......
<正> 本期主要向发烧友介绍音乐功率达120W×2、有效值功率为30W×2的超线性功率放大器。超线性放大器是在威廉逊放大器发表数年后......
<正>一九八0年以来,GaAs MESFET单片集成微波开关的研制工作已经取得了一些令人鼓舞的进展.与MESFET用于放大、振荡、变频等有源场......
<正>一、引言在半导体材料的发展历史上,通常将硅(Si)、锗(Ge)称作第1代半导体。将砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)、磷化镓(Ga P)等......
等离子体技术的发展,迄今为止,大约已经提出了三种等离子体光谱光源。一是双电极直流等离子体喷焰,二是微波等离子体,三是电感耦......
本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.7......
主要是通过对100kW PSM短波发射机栅极固定偏压偏低故障的分析,阐明在处理短波发射机故障的过程中,要通过故障现象找出故障的本质,......
<正> 一些彩色电视机发生故障,尽管故障现象相同,但故障原因各异:有的是电路出故障,有的是显像管有毛病。例如,电视图像缺少绿色,......
<正>在前面基础知识的基础上,要设计或制作一个电压放大级,最基本的选择就是所用电子管的选择,究竟是采用五极管还是采用三极管好......
