高频晶体管相关论文
用混合模型在二维位形空间和三维速度空间对电子回旋共振等离子体源中的粒子运动进行数值模拟，并着重研究磁场梯度在电子回旋共振等......
pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向......
石墨烯(单层石墨)中的碳原子以正六边形结构构成蜂窝状二维晶体,其中的碳原子以sp2杂化成键.石墨烯是目前为止发现的最轻而且经过......
本文研究了低频和高频两种类型的小功率晶体管的静电放电损伤阈值。发现对于高频晶体管，与人们以前的认识不同，静电放电损伤敏感端对......
用混合模型在二维位形空间和三维速度空间对电子回旋共振等离子体源中的粒子运动进行数值模拟，并着重研究磁场梯度在电子回旋共振等......
石墨烯是由sp2碳原子排列而成的，厚度仅为一个原子层的蜂巢状晶体，其具有独特的物理性质。石墨烯是目前已知的强度最高、拉伸性......
高频晶体管Ｓ参量图示仪研究顾新民（北京联大电子自动化工程学院）我们研制的高频晶体管Ｓ参量图示仪具备了晶体管特性图示仪（简称图示仪）和......
随着半导体产业全面复苏．市场开始疯狂追捧半导体硅材料股，有研硅股（资讯行情论坛）今年以来已涨了73％，为06年第一大牛股，是名副其实的。超......
本文通过对高频晶体管主要设计指标功率增益及最高振荡的分析，导出了随工作点变化的功率增益及最大有用功率增益；而基于最高振荡频率......
【正】 一、应用物理所的工作跃进情况在双反运动前,因党组织对科学业务领导有右倾保守思想,只有在政治运动中党才能起点领导作用,......
<正> 电子工业,是当今的尖端企业。办好这种企业,需要先进的设备和现代厂房的建设,这是物质基础,不可缺少。但是,还有一个更为重......
在制造硅ｎｐｎ型高频、超高频小功率晶体管管芯和形成铝电极后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大晶体管的直、交流电放大系数，提高......
半导体电子学家，中国科学院半导体研究所研究员。王守觉院士1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，应用于我国研制的晶体管......
pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向......
本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺.用该设计与工艺做出了耐压大于200V、fT大于200MHz的产品.......
<正> 线性网络的特性完全可以用在网络口子上测出的参量来表示,而不考虑该网络的实际结构。对于在小信号情况下应用的非线性网络,......
本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积......
本文以ＦＨ３２３型高频大功率达林顿晶体管为例，讨论Ｒ１、Ｒ２的作用与选择，提出Ｒ１、Ｒ２的最佳设计方法，从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管ｈＦＥ、ＩＣＥＯ的温度......
