A-SI:H相关论文
The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si ......
氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料，在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用。然而，光......
a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池,而且作为薄膜场效应管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展.a-Si:H的沉积......
非晶硅（a-Si）具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态（主要缺陷态是悬挂键），使其在实际应用......
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)已经被广泛应用于太阳能电池、薄膜晶体管(TFT)、大面积显示技术等半导体器件领域。但在光照条件下发现材料......
环境污染和能源短缺一直影响着各国的持续发展，在众多可再生清洁能源中，光伏组件最有可能取代传统能源而成为新的能源。a-Si：H薄膜电......
非晶硅(a-Si)具有特殊的光学、电学性质,并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主要缺陷态是悬挂键),使其在实......
降低成本、提高效率一直是太阳电池的研究重点。薄膜太阳电池大幅节省了制备原料,降低了生产成本。通过增加入射太阳光子数的......
采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 ......
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非......
利用红外光谱(IR)和氢释放谱相结合的方法,研究了a-Si:H的结构与其光衰效应的关系,结果发现:随着Br含量的增加,IR谱中的2100cm-1峰......
全文描述了各种非晶固体光敏传感器技术以及它们的结构、工作原理和应用.本文主要介绍a-Si:H(氢化非晶硅)图像传感器、μc-Si:H (......
a-Si:H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容，实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应，研究发现由栅极和源极形成的电场的电力......
实验发现在一定Si—H键浓度下,相对于平坦的硅衬底而言,在其上沉积的a-Si:H薄膜具有压缩应力,a-SiN_x:H薄膜具有伸张应力。当a-Si:......
非晶硅薄膜和SiC薄膜由于其优异的光电特性，在半导体产业中占有重要的地位。非晶硅薄膜是高效、廉价光伏太阳电池的理想材料，并且可......
应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载......
本文通过理论分析研究了a-Si:H结中横向光生伏特效应的定态与瞬态特性。所得结果表明理论与实验非常符合。值得注意的是,按理论关......
用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i......
研究了氧掺杂对a-Si:H光诱导Staebler-Wronski效应的影响(随着掺氧量的增加,光诱导效应减弱)。在掺氧的a-si:H中,红外吸收光谱显示......
Active层成膜Particle所产生的点类缺陷是造成TFT产品良率损失的最大项不良,这也是目前TFT制造工厂所共同面对的难题。PECVD设备制......
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)以其优越的特性在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管和大面积平面显示等技术领域起着日益重要的作用，但过低的沉积......
在用磷掺杂a-Si∶H时,我们发现随掺杂量的增加,a-Si(P)∶H的直流暗电导σ_D先是增大,在 P/Si=10~(-3)时达最大值,为 10~(-2)(Ω-c......
