寄生效应相关论文
设计并制作了用于超导量子比特直流特性测试的级联低通滤波器,该滤波器由LCR滤波器和铜粉滤波器级联而成.滤波器在77K温度下的截止......
采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的......
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串......
随着CMOS器件尺寸已经接近物理极限,短沟道效应严重阻碍了半导体器件的进一步发展。虽然FinFET器件已经证实能够有效地抑制短沟道......
采用MEMS技术研制的加速度传感器，是基于硅工艺的最重要的传感器之一。但是由于寄生效应和吸合效应的影响，在进一步微型化、集成化方......
相变存储器（PCRAM）是一种新型的非易失性半导体存储器（NVM）。相变存储器利用纳秒级脉宽的电压或者电流脉冲使相变材料在晶态（SET）和非晶......
无线通信系统中，天线是实现信号收发和保证数据可靠传输的关键部件。作为一种新兴的智能化天线，方向回溯天线在来波信号到达之前处于......
在PON阵型方向回溯天线中,需要在原位消除带通滤波器的固有寄生效应。采用级联L-C等效电路实现的3GHz内的低通特性,在通带2.4-2.5G......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
给出了一种采用Г型输入匹配网络的源简并共源低噪声放大器电路结构,分析了在低功耗情况下,高频寄生效应对低噪声放大器(LNA)输入......
期刊
ESD器件的主要目的是提供电阻最低的接地分流路径.根据这种理念,我们为电路板设计者提供了一种能够让他们计算ESD瞬变时保护器件的......
为了消除LTCC中的寄生效应,必须优选电路及布线设计,并合理地选择材料,采用加工精度更高的工艺。描述了在材料及其过程研究中的进......
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究．并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3......
高速电路设计已经成为现今电路设计的主流,而过孔设计在高速电路中已显得日益重要。讨论过孔的一些概念和其产生的寄生效应,并通过......
基于微机械陀螺仪的寄生效应产生原理，借助于陀螺仪的系统函数，分析了寄生效应对系统频率响应的影响。对频率响应实部和虚部的处理，可......
高空高速拦截时,导弹制导时间常数和转弯速率时间常数较低空大幅增加,导引系统寄生耦合效应极有可能引起较大脱靶量,导致拦截失败......
封装寄生效应对高频器件性能的影响越来越明显。为了在高频器件设计中充分考虑寄生参数的影响，需对封装的寄生效应进行模拟，以便保持......
分析了互补型集成注入逻辑随机存贮器单元电路的有源寄生元件，通过更新和改进工艺，其将成为双极型电路实现大规模集成化的重要途径，对......
期刊
分析了体硅CMOS RF集成电路中电感的寄生效应，以及版图参数对电感品质因数Q的影响，并通过Matlab程序模拟了在衬底电阻，金属条厚度、氧......
在毫米波产品设计中，芯片的安装方式及连接路径是影响产品性能的一个重要因素。目前的手工操作方法不能满足高性能产品设计的需要，同......
介绍了宽带低噪声集成运放OPA686的主要技术指标以及运用OPA686设计宽带高性能前置放大器时应注意的寄生效应、元器件的选择和布放......
提出了能够用于在高温段进行热敏电阻阻温及老化测试的系统设计方案。介绍了系统的整体方案,包括硬件设计和软件优化,解决了电阻炉......
根据静态随机存储器(SRAM)电路及版图的设计特点，提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型．该模型仿真快速准确，能克服Spice......
a-Si:H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容，实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应，研究发现由栅极和源极形成的电场的电力......
提出了一种新型结构的静电感应器件，设计了一道环绕的深槽，用以切断寄生效应静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效，文......
随着集成电路（IC）工艺进入深亚微米水平,以及射频（Radio-Frequency,RF）IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放（ESD）保护设计越......
介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的＂L-2L＂去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的......
详细讨论了SiGe HBT的直流交流特性、噪声特性,SiGe HBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGe HBT等,以及它......
分析了存在于高压SOI PLDMOS器件中的寄生双沟道效应的产生机理,并提出了改进型的新结构。该结构有效地抑制了SOI PLDMOS器件的寄......
采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也......
电子系统中封装的信号完整性问题越来越明显。针对一种标准的QFP64引线框架，采用商用电磁场软件Q3D完成了封装模型的建立和寄生参数......
随着工作时钟频率的不断提高，互连与封装等寄生结构引起的信号完整性分析成为集成电路设计中的重要任务。高频时寄生结构的准确电特......
工艺简单、成本低廉是引线框架封装的优点，但引线框架的固定结构限制了其应用带宽。文中利用HFSS软件完成了一种标准的LQFP64引线框......
半桥LLC谐振变换器因其效率高、结构简单、功率密度高等优点,广泛应用于对电源体积和效率敏感的系统中。然而,高频下的寄生效应使......
学位
随着集成电路设计复杂性以及电路工作时钟频率的不断提高,互连与封装等寄生效应对电路的影响越来越大,产生了信号完整性问题.如何......
提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型，模型综合考虑了射频／微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应．模型考......
LRC滤波器寄生参数易引起串并联自谐振,影响滤波器对矿用变频器长线传输系统中电动机端尖峰电压和电压变化率的抑制性能,甚至造成......
分辨率是CMOS图像传感器最重要的指标之一,分辨率越高,意味着像素阵列越大,像素阵列横向尺寸的增大对时序控制驱动电路的驱动能力......
EMI滤波器作为减少系统对外部设备产生电磁干扰的重要设备,在工业生产中得到了广泛应用。但寄生效应会对EMI滤波器的高频特性产生......
当飞行器处于高超声速飞行状态时,其外部会形成等离子体鞘套。等离子体的存在会使飞行器上的天线发生阻抗失配,导致谐振频率偏移以......
在射频集成电路中，Inp衬底的高电阻率导致了低衬底损耗以及器件和电路性能的提高。该文提出了Inp衬底上MIM电容和电阻的简单而精确......
提出了一种低电压CMOS工艺下用于偏置电路中的低漏电流电荷泵电路设计.漏电是输出纹波的主要来源,引入两个不同频率的时钟,通过控......
采用金属-绝缘体-金属（MIM）测试结构表征薄膜高频特性时,差动法能有效地剥离测量过程中寄生效应对表征结果的消极影响。为此,借助仿......
本文以工作于电流连续模式下的Boost型变换器为例,根据能量守恒原理并用三端开关器件模型法建立了考虑电路元件的寄生效应以及开关......
推导了封装前后探测器的散射参数的关系，提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法．一种方法是直接比较封装前后探测器的频响，另一......
对二阶Pi型电感耦合LTCC滤波器中各个元件的电容及电感寄生效应进行了分析,提出了一种新的寄生电感耦合分析方法,并根据分析结果设......
