红外透射谱相关论文
为了研究在氮气中激光的脉冲能量对类金刚石薄膜的微结构组成、表面形貌和红外光学特性的影响,在KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)类金......
用x射线光电子能谱、红外喇曼反射谱和红外透射谱,研究了在超高真空环境下,红外探测器在电老化一段时间后,其表面镀ZnS的Ge窗口材......
非晶硅(a-Si)与晶态硅的结构差异，使非晶硅具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主......
a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池,而且作为薄膜场效应管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展.a-Si:H的沉积......
利用X射线光电子能谱、红外喇曼反射谱和红外透射谱,研究了在超高真空环境下,红外探测器在电老化一段时间后,其表面镀ZnS的Ge窗口......
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为......
通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结......
探索了一种Cd1-xZnxTe（CZT）探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究。利用XRD、红外......
用射频-直流辉光放电PECVD法在KCl透镜上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜.测量显示镀覆了类金刚碳膜的KCl透镜在2.5μm～50μm红外范围......
通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组......
采用分子束外延（MBE）方法在BaF2（111）衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe（0≤x≤0.012）稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0-11.0μm中红外透......
研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响,测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀......
氮化硅薄膜由于具有耐磨性好、机械强度高、绝缘性好并能够抗碱金属离子、水汽的侵蚀而被广泛用于半导体器件的钝化层、介质层及微......
