ALAS相关论文
以GaAs纳米线为代表的III-V族化合物半导体材料凭借着载流子迁移率高、热导率高、易于掺杂以及带隙可调节等优势，在纳米光电探测器......
由于在光伏器件、探测器、发光二极管和激光器等领域的广泛应用,光电材料受到了科研工作者的广泛关注。然而光电材料中不可避免的......
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分......
通过卷曲立方AlAs（111）单层片（sheets）构造了一系列（n,0）和（n,m）一维单壁纳米管。用周期性密度泛函理论（DFT）计算并比较了不同类型AlAs纳米管......
虽然《伤寒论》中仅有2条条文论及“噫”,但其论述该病之病因、病机、治法、方药等内容已较完整,通过归类、分析,总结出仲景诊治此......
利用Nomarski光学显微镜和Raman光谱仪对分子束外延生长的AlAs层热氧化进行了系统的研究.对未氧化,氧化及氧化加原位退火的样品分......
为获得 ALAS的重组表达蛋白,以人肝脏组织 cDNA为模板,通过 PCR扩增得到 ALAS全长片段并测序,成功构建了 pET30a（＋）—ALAS融合表达载......
随着半导体和微电子技术的发展，稀磁半导体被寄希望成为制作自旋电子器件的最具前景的材料，其中Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体由于其自身特性，受......
最近,作为最有潜力的自旋电子学器件,由过渡金属取代形成的III-V族稀磁半导体受到越来越多的关注。我们采用原子轨道线性组合方法......
