砷化铝相关论文
在近红外光谱区工作的（0．76～1．0μm）的高功率二极管激光器已作为掺铒光纤放大器、Nd：YAG和Ho：YAG激光器的泵浦源使用。可购到的此波段二极......
半导体激光二极管去年经历了巨大的革新。由于这些设施用于城市间、各大洲间的光缆数字信息传输，因而它们对于通讯网络十分关键。在......
美国CoreTek公司已推出两种商业化的光可寻址新型空间光调制器。一种打算用于全息，另一种设计成非相干到相干光的转换，将直接用休斯......
对于本年度的诺贝尔物理学奖而言，硅是比黄金更为恰当的材料。因为今年荣获诺贝尔物理学奖的３位科学家都是利用硅材料作出了他们杰出......
法国格勒诺布尔高磁场实验室、马德里自治大学和德国慕尼黑科技大学的研究人员通过荧光升频转换,用激光将半导体由70Ｋ冷却到63Ｋ。工......
量子级联(QC)激光器在排列上是通用的,可以发射THz的射线,同时可有两个波长,发射甚至超过了超连续光谱,现在,Lucent公司贝尔实验......
新一期英国《自然》杂志报告说,美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术,克服了成本上的瓶颈,从而使砷化镓这种感光性......
我队研制成功一种半导体发光二极管水位测定器，当测量电极接触孔内水位时，仪器发出红色光。该仪器造价低，结构简单，体积小巧，耗电省，使用......
针对彩色钙钛矿太阳能电池的美学特征,对该太阳能电池的纳米级色彩调节进行了研究。利用Fano共振原理以及在钙钛矿太阳能电池中采......
《中国科技信息》报导:瑞典Lund大学Lars Samuelson领导的研究小组首先以新科技成功的看穿纳米线的内部结构。他们利用横断扫描穿......
加州Malibu的休斯研究实验室的科学家,最近研制出他们相信是世界上开关速度最快的晶体管,并在去年12月在华盛顿举行的国际电子器......
日本松下电子工业公司采用分子注外延技术研制成具有新结构的砷化镓场效应晶体管.这种晶体管采用独特结构的内刻电极,结部分接合......
法国汤姆森公司中央研究室最近研制成功一种砷化铝-镓激光二极管,它的工作电流密度比通常的双异质结构器件约小9倍.这种转型结构......
美国马里兰州约翰斯霍普金斯大学的研究者发明了一项生产氮基材料的技术,这是形成一种新型半导体激光器的关键。这类新激光器不同......
1982年7月21日某冶炼厂在碱性精炼提纯锗的试验中,因炉底破漏而检修,24日下午,四名工人在无任何防护的情况下,清除炉内熔渣。其中......
电子制造商Panasonic已经研制出80nm A1GaAs/GaAs(砷化铝镓/砷化镓)垂直共振腔面射型激光器(VCSEL),为光纤和空间光线传输等低成本......
用紧束缚的方法研究了一种多层低维半导体系统－－三元准周期超晶格系统的电子隧穿，结果表明：大代数的情况下，电子出现共振隧穿透射的能量......
研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2O3/GaAs薄膜,利用X射......
通过卷曲立方AlAs（111）单层片（sheets）构造了一系列（n,0）和（n,m）一维单壁纳米管。用周期性密度泛函理论（DFT）计算并比较了不同类型AlAs纳米管......
结合宏观和微观模型, 对GaAs/AlAs弱耦合掺杂超晶格的纵向输运问题进行模拟计算, 并给出产生电流自激振荡时的掺杂浓度和固定偏压......
利用Nomarski光学显微镜和Raman光谱仪对分子束外延生长的AlAs层热氧化进行了系统的研究.对未氧化,氧化及氧化加原位退火的样品分......
２１世纪的产业革命──发光二极管一鸣惊人最近一二年内，科学家们在开发新的高亮度发光二极管元件上有着相当显著而重大的突破，颜色从红......
我们制备了Ｍ＝２，４，６和１０的一系列短周期（ＧａＡｓ）Ｍ／（ＡｌＡｓ）Ｍ超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析，并与夏建白等的理论计算结果作......
利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实......
在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦全掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平以上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡，观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ，这种由级联隧穿引起的......
结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了ＡｌＡｓ选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温，氮气流量，水温等条件和ＡｌＡｓ薄层的横向氧化速率之间的关系及其对......
我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同。当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态......
<正> 由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原......
本文首次报道（311）面上生长的GaAs/AIAs波纹超晶格中的激子局域化效应。在这种结构中，波纹异质结界面的缺陷，包括周期微扰和表面不平整......
首次用光伏方法研究（ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ）ｎ短周期超晶格中的超晶格类型及其转变问题。不同于其它方法，光伏方法仅涉及到载流子在实空间中的分离及其大小。......
采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs,AlAk,DRB反应离子刻蚀的速率进行了研究，通过控制反应的压强，功率，气体流量和气体组分达到对刻蚀速......
采用常压金属有机物气相沉积法生长ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ周期性反射膜，并利用双晶Ｘ射线衍射、扫描电子显微镜和记录式分光光度计等分析手段，对材料结构及光......
我们研究了掺杂耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格的级联隧穿，在这种结构中，ＡｌＡｓ层Ｘ能谷中的基态能级位于ＧａＡｓ层中Г能谷的基态（ＥГ１）和第一激发态（ＥГ２）能级之间，实验结果证明......
我们在Ⅰ类－Ⅱ类混俣ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ非对称量子阱结构的样品上，在较低的激发光强下在宽阱中获得了较高密度的光生电子积累。利用光致发光方法详细地......
【正】 安捷伦科技(Agilent Technologies)目前宣布,面向下一代更小、更薄、更时尚的手机和PDA推出适用于LCD和键盘背光及状态指示......
报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好，良好......
